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講演抄録/キーワード
講演名 2007-04-12 14:50
バルク型サイリスタを用いた高速動作SRAMセルの開発
杉崎太郎中村元昭柳田将志本田元就篠原光子生田哲也大地朋和釘宮克尚山本 亮神田さおり山村育弘屋上公二郎小田達治ソニーICD2007-9
抄録 (和) 65nm世代以降、最も一般的に用いられている6T-SRAMは多くの問題に直面している。そこで、我々は6T-SRAMに代わるSRAMを検討している。今回、バルクシリコンウエハーを用いて、サイリスタをSRAM (Static Random Access Memory) セルに応用することを試みた。このBulk Thyristor-RAM (BT-RAM) は、バルクシリコンウエハーを用いているために、コストを抑えることができる上に混載デバイスとの相性もよい。さらに100psの高速書き込み/読み出しが可能、オン電流とオフ電流の比が1E8以上、スタンバイ電流が 0.5 nA/cell 以下と非常に良好な特性を示した。また、アノード領域に選択エピタキシャル技術を用いることで、理想セルサイズも30 square F (F はデサインルール) と従来型の6T-SRAM の約 1/4 のサイズになっている。このように BT-RAM は現在SRAMの直面している問題を解決し、65 nm 世代以降に有望なデバイスであることがわかった。 
(英) We have successfully developed an alternative SRAM cell using Bulk Thyristor-RAM (BT-RAM) for the first time. BT-RAM, formed on bulk Si wafers, is low cost and has good compatibility with logic process flows. BT-RAM has excellent performance, with a 100-ps read/write at 1.5 V, high Ion/Ioff current ratio (>1E8), and low stand-by current (< 0.5 nA/cell). We can expect the ideal cell size to be as low as 30 square F, one-fourth that of a conventional 6T-SRAM cell, by using Selective Epitaxy technique for Anode regions (SEA). The BT-RAM is therefore a promising candidate as an alternative SRAM for the 65-nm generation and beyond.
キーワード (和) サイリスタ / バルクサイリスタRAM / SRAM / 選択エピタキシャル / / / /  
(英) Thyristor / Bulk Thyristor-RAM / SRAM / Selective Epitaxy / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 1, ICD2007-9, pp. 47-52, 2007年4月.
資料番号 ICD2007-9 
発行日 2007-04-05 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2007-9

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2007-04-12 - 2007-04-13 
開催地(和) 大分県・湯布院・七色の風 
開催地(英)  
テーマ(和) 新メモリ技術とシステムLSI<オーガナイザ:堂阪 勝己(ルネサステクノロジ)> 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2007-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) バルク型サイリスタを用いた高速動作SRAMセルの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High-speed Operation SRAM cell using Bulk-type Thyristor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) サイリスタ / Thyristor  
キーワード(2)(和/英) バルクサイリスタRAM / Bulk Thyristor-RAM  
キーワード(3)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(4)(和/英) 選択エピタキシャル / Selective Epitaxy  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉崎 太郎 / Taro Sugizaki / スギザキ タロウ
第1著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 元昭 / Motoaki Nakamura / ナカムラ モトアキ
第2著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳田 将志 / Masashi Yanagita / ヤナギタ マサシ
第3著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 本田 元就 / Motonari Honda / ホンダ モトナリ
第4著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠原 光子 / Mitsuko Shinohara / シノハラ ミツコ
第5著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 生田 哲也 / Tetsuya Ikuta / イクタ テツヤ
第6著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony corp.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 大地 朋和 / Tomokazu Ohchi / オオチ トモカズ
第7著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony corp.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 釘宮 克尚 / Katsuhisa Kugimiya / クギミヤ カツヒサ
第8著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony corp.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 亮 / Ryo Yamamoto / ヤマモト リョウ
第9著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony corp.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 神田 さおり / Saori Kanda / カンダ サオリ
第10著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony corp.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 山村 育弘 / Ikuhiro Yamamura / ヤマムラ イクヒロ
第11著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony corp.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 屋上 公二郎 / Kojiro Yagami / ヤガミ コウジロウ
第12著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony corp.)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 小田 達治 / Tatsuji Oda / オダ タツジ
第13著者 所属(和/英) ソニー株式会社 (略称: ソニー)
Sony Corporation (略称: Sony corp.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-04-12 14:50:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2007-9 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.1 
ページ範囲 pp.47-52 
ページ数
発行日 2007-04-05 (ICD) 


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