| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2007-04-12 14:50
バルク型サイリスタを用いた高速動作SRAMセルの開発 ○杉崎太郎・中村元昭・柳田将志・本田元就・篠原光子・生田哲也・大地朋和・釘宮克尚・山本 亮・神田さおり・山村育弘・屋上公二郎・小田達治(ソニー) ICD2007-9 |
| 抄録 |
(和) |
65nm世代以降、最も一般的に用いられている6T-SRAMは多くの問題に直面している。そこで、我々は6T-SRAMに代わるSRAMを検討している。今回、バルクシリコンウエハーを用いて、サイリスタをSRAM (Static Random Access Memory) セルに応用することを試みた。このBulk Thyristor-RAM (BT-RAM) は、バルクシリコンウエハーを用いているために、コストを抑えることができる上に混載デバイスとの相性もよい。さらに100psの高速書き込み/読み出しが可能、オン電流とオフ電流の比が1E8以上、スタンバイ電流が 0.5 nA/cell 以下と非常に良好な特性を示した。また、アノード領域に選択エピタキシャル技術を用いることで、理想セルサイズも30 square F (F はデサインルール) と従来型の6T-SRAM の約 1/4 のサイズになっている。このように BT-RAM は現在SRAMの直面している問題を解決し、65 nm 世代以降に有望なデバイスであることがわかった。 |
| (英) |
We have successfully developed an alternative SRAM cell using Bulk Thyristor-RAM (BT-RAM) for the first time. BT-RAM, formed on bulk Si wafers, is low cost and has good compatibility with logic process flows. BT-RAM has excellent performance, with a 100-ps read/write at 1.5 V, high Ion/Ioff current ratio (>1E8), and low stand-by current (< 0.5 nA/cell). We can expect the ideal cell size to be as low as 30 square F, one-fourth that of a conventional 6T-SRAM cell, by using Selective Epitaxy technique for Anode regions (SEA). The BT-RAM is therefore a promising candidate as an alternative SRAM for the 65-nm generation and beyond. |
| キーワード |
(和) |
サイリスタ / バルクサイリスタRAM / SRAM / 選択エピタキシャル / / / / |
| (英) |
Thyristor / Bulk Thyristor-RAM / SRAM / Selective Epitaxy / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 1, ICD2007-9, pp. 47-52, 2007年4月. |
| 資料番号 |
ICD2007-9 |
| 発行日 |
2007-04-05 (ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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ICD2007-9 |