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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-04-12 11:10 ［招待講演］書換え電流１００μA、書換え速度４１６kB/sで動作する混載向け５１２kB相変化メモリ ○小田部 晃・半澤 悟（日立）・北井直樹（日立超LSIシステムズ）・長田健一・松井裕一・松崎 望・高浦則克（日立）・茂庭昌弘（ルネサステクノロジ）・河原尊之（日立）  ICD2007-5 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2007-5 |
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| 抄録 | （和） | 0.13μm，1.5V CMOS技術を用いて，混載向け512kB相変化メモリを試作した。既開発の低電力相変化メモリセルを混載ROMモジュールに適用するために，次の3つの回路技術を開発した。第一に，書換え回路技術として，メモリアレイ内のセンスアンプをライトバッファに用いて1bit毎に書換えを行うセンスアンプ・プリフェッチ・シリアル書換え方式とビット線電圧を二段階に切り替える二段階セット方式の組合せにより，書換え電流100μAにて書換え速度416kB/sを達成した。第二に，読出し回路技術として，高速化のための電荷転送ダイレクトセンス方式を用いることにより，16bitデータ読出し時のセンスアンプの消費電流を280μAに抑えながらアレイ内のデータ読出し時間を9.9nsに短縮した。第三に，テスト回路技術として，メモリアレイ内のリーク電流を低減する待機電圧制御方式を用いることにより，評価可能なメモリセル抵抗値の範囲を3MΩから33MΩまで拡大した。以上の回路技術により，低電力動作の混載向け相変化メモリを実現した。 |
| （英） | An experimental 512-kB embedded Phase Change Memory (PCM) is developed in a 0.13-μm 1.5-V CMOS technology. Three circuit techniques were developed to apply the previously developed low-power PCM cell to embedded ROM modules. A sense-amplifier-prefetch serial write scheme and a two-step set method achieve 416-kB/s write-throughput at 100-μA cell current. A charge-transfer direct-sense scheme has a 16-bit parallel read access time of 9.9 ns in a memory array drawing 280 μA. A standby voltage control scheme suppresses leakage current in the memory array and enlarges the range of measurable PCM cell resistance from 3 MΩ to 33 MΩ. These circuit techniques realize a low-power embedded PCM. | |
| キーワード | （和） | 相変化 / 混載メモリ / センスアンプ・プリフェッチ・シリアル書換え方式 / 二段階セット方式 / 電荷転送ダイレクトセンス方式 / 待機電圧制御方式 / / |
| （英） | Phase change / Embedded memory / Sense-amplifier-prefetch serial write scheme / Two-step set method / Charge-transfer direct-sense scheme / Standby voltage control scheme / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 1, ICD2007-5, pp. 23-28, 2007年4月. | |
| 資料番号 | ICD2007-5 | |
| 発行日 | 2007-04-05 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2007-5 エレソ技報アーカイブへのリンク：ICD2007-5 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2007-04-12 - 2007-04-13 |
| 開催地（和） | 大分県・湯布院・七色の風 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 新メモリ技術とシステムLSI<オーガナイザ：堂阪 勝己(ルネサステクノロジ)> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2007-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 書換え電流１００μA、書換え速度４１６kB/sで動作する混載向け５１２kB相変化メモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 512kB Embedded Phase Change Memory with 416kB/s Write Throughput at 100μA Cell Write Current |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 相変化 / Phase change |
| キーワード(2)（和/英） | 混載メモリ / Embedded memory |
| キーワード(3)（和/英） | センスアンプ・プリフェッチ・シリアル書換え方式 / Sense-amplifier-prefetch serial write scheme |
| キーワード(4)（和/英） | 二段階セット方式 / Two-step set method |
| キーワード(5)（和/英） | 電荷転送ダイレクトセンス方式 / Charge-transfer direct-sense scheme |
| キーワード(6)（和/英） | 待機電圧制御方式 / Standby voltage control scheme |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小田部 晃 / Akira Kotabe / コタベ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | （株）日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 半澤 悟 / Satoru Hanzawa / ハンザワ サトル |
| 第2著者 所属（和/英） | （株）日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北井 直樹 / Naoki Kitai / キタイ ナオキ |
| 第3著者 所属（和/英） | (株)日立超LSIシステムズ (略称： 日立超LSIシステムズ) Hitachi ULSI Systems Co. (略称： Hitachi ULSI) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長田 健一 / Kenichi Osada / オサダ ケンイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | （株）日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 裕一 / Yuichi Matsui / マツイ ユウイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | （株）日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松崎 望 / Nozomu Matsuzaki / マツザキ ノゾム |
| 第6著者 所属（和/英） | （株）日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高浦 則克 / Norikatsu Takaura / タカウラ ノリカツ |
| 第7著者 所属（和/英） | （株）日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 茂庭 昌弘 / Masahiro Moniwa / モニワ マサヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Copr. (略称： Renesas) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河原 尊之 / Takayuki Kawahara / カワハラ タカユキ |
| 第9著者 所属（和/英） | （株）日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-04-12 11:10:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2007-5 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.1 |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-04-05 (ICD) |
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