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講演抄録/キーワード
講演名 2007-04-13 09:40
[招待講演]A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die
Shigeki OhbayashiMakoto YabuuchiKazushi KonoRenesas Technology)・Yuji OdaShikino High-Tech)・Susumu ImaokaRenesas Design)・Keiichi UsuiDaioh Electric)・Toshiaki YonezuTakeshi IwamotoKoji NiiYasumasa TsukamotoMasashi ArakawaTakahiro UchidaHiroshi MakinoKoichiro IshibashiHirofumi ShinoharaRenesas TechnologyICD2007-11 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2007-11
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) We propose a Wafer Level Burn-In (WLBI) mode, a leak-bit redundancy and a small, highly reliable Cu E-trim fuse repair scheme for an embedded 6T-SRAM to achieve a KGD-SoC. We fabricated a 16M-SRAM with these techniques using 65 nm LSTP technology, and confirmed its efficient operation. The WLBI mode has almost no area penalty and a speed penalty of only 50 psec. The leak-bit redundancy area penalty is less than 2%.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) 6T-SRAM / 65nm CMOS Technology / Known Good Die / Embedded SRAM / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 1, ICD2007-11, pp. 59-64, 2007年4月.
資料番号 ICD2007-11 
発行日 2007-04-05 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2007-11 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2007-11

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2007-04-12 - 2007-04-13 
開催地(和) 大分県・湯布院・七色の風 
開催地(英)  
テーマ(和) 新メモリ技術とシステムLSI<オーガナイザ:堂阪 勝己(ルネサステクノロジ)> 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2007-04-ICD 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / 6T-SRAM  
キーワード(2)(和/英) / 65nm CMOS Technology  
キーワード(3)(和/英) / Known Good Die  
キーワード(4)(和/英) / Embedded SRAM  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大林 茂樹 / Shigeki Ohbayashi / オオバヤシ シゲキ
第1著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 薮内 誠 / Makoto Yabuuchi / ヤブウチ マコト
第2著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 河野 和史 / Kazushi Kono / コウノ カズシ
第3著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小田 祐士 / Yuji Oda / オダ ユウジ
第4著者 所属(和/英) (株)シキノハイテック (略称: シキノ)
Shikino High-Tech (略称: Shikino High-Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 今岡 進 / Susumu Imaoka / イマオカ ススム
第5著者 所属(和/英) (株)ルネサスデザイン (略称: ルネサスデザイン)
Renesas Design Corp. (略称: Renesas Design)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 臼井 啓一 / Keiichi Usui / ウスイ ケイイチ
第6著者 所属(和/英) 大王電機(株) (略称: 大王電機)
Daioh Electric (略称: Daioh Electric)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 米津 俊明 / Toshiaki Yonezu / ヨネヅ トシアキ
第7著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩本 猛 / Takeshi Iwamoto / イワモト タケシ
第8著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ
第9著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto / ツカモト ヤスマサ
第10著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒川 政司 / Masashi Arakawa / アラカワ マサシ
第11著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 内田 孝裕 / Takahiro Uchida / ウチダ タカヒロ
第12著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧野 博之 / Hiroshi Makino / マキノ ヒロシ
第13著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi / イシバシ コウイチロウ
第14著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠原 尋史 / Hirofumi Shinohara / シノハラ ヒロフミ
第15著者 所属(和/英) (株)ルネサス テクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology (略称: Renesas Technology)
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-04-13 09:40:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2007-11 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.1 
ページ範囲 pp.59-64 
ページ数
発行日 2007-04-05 (ICD) 


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