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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-04-13 13:50 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上 ○砂村 潤・五十嵐多恵子・森岡あゆ香・小辻 節・忍田真希子・五十嵐信行・藤枝信次・渡辺啓仁（NEC）  ICD2007-15 |
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| 抄録 | （和） | 微細化されたSONOS型不揮発性メモリにおける保持力向上のため、ゲート絶縁膜への金属不純物添加によるトラップ形成を提案する。本手法では、エネルギー的に深く密度が制御されたトラップの形成が期待できる。シリコン酸化膜中へのTi添加により電子捕獲効率が高くエネルギー的に深いトラップが形成可能であることを見出した。添加するTiの量を減少させることにより、電荷貯蔵ノードはTiO2で構成されるフローティングゲート（15Åの場合）からナノクリスタル（3Åの場合）そして原子トラップ（0.4Åの場合）へと変遷することがわかった。離散的な原子トラップを形成することにより、電荷の面内再分配を抑制し150℃での高温保持特性を向上することに成功した。 |
| （英） | For retention improvement in scaled SONOS-type non-volatile memory, deep traps with controllable density were formed by adding metal impurities into gate oxide. We find that Ti additives create deep traps in silicon dioxide, with high electron capture efficiency. Charge storage node changed from TiO2 floating-gate (15Å) to nano-crystals (3Å), and further to atomic-sized traps (0.4Å) by decreasing Ti amount. Discrete atomic-sized traps successfully suppressed lateral charge redistribution, improving retention at 150oC. | |
| キーワード | （和） | SONOS / トラップ / 金属不純物 / 原子トラップ / 電荷の面内再分配 / 高温保持 / / |
| （英） | SONOS / traps / metal impurities / atomic-sized traps / lateral charge redistribution / high temperature retention / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 1, ICD2007-15, pp. 83-88, 2007年4月. | |
| 資料番号 | ICD2007-15 | |
| 発行日 | 2007-04-05 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2007-15 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2007-04-12 - 2007-04-13 |
| 開催地（和） | 大分県・湯布院・七色の風 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 新メモリ技術とシステムLSI<オーガナイザ：堂阪 勝己(ルネサステクノロジ)> |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2007-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 不純物トラップメモリによる電荷の面内再分配抑制と高温保持力向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Suppression of lateral charge redistribution using advanced impurity trap memory for improving high temperature retention |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SONOS / SONOS |
| キーワード(2)（和/英） | トラップ / traps |
| キーワード(3)（和/英） | 金属不純物 / metal impurities |
| キーワード(4)（和/英） | 原子トラップ / atomic-sized traps |
| キーワード(5)（和/英） | 電荷の面内再分配 / lateral charge redistribution |
| キーワード(6)（和/英） | 高温保持 / high temperature retention |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 砂村 潤 / Hiroshi Sunamura / スナムラ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電気（株） (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 五十嵐 多恵子 / Taeko Ikarashi / イカラシ タエコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電気（株） (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森岡 あゆ香 / Ayuka Morioka / モリオカ アユカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電気（株） (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小辻 節 / Setsu Kotsuji / コツジ セツ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電気（株） (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 忍田 真希子 / Makiko Oshida / オシダ マキコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電気（株） (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 五十嵐 信行 / Nobuyuki Ikarashi / イカラシ ノブユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本電気（株） (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤枝 信次 / Shinji Fujieda / フジエダ シンジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 日本電気（株） (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 啓仁 / Hirohito Watanabe / ワタナベ ヒロヒト |
| 第8著者 所属（和/英） | 日本電気（株） (略称： NEC) NEC Corporation (略称： NEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-04-13 13:50:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2007-15 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.1 |
| ページ範囲 | pp.83-88 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-04-05 (ICD) |
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