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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-04-20 13:00 SiGe/SOI 構造の酸化現象とその解析 ○田中政典・大賀達夫・佐道泰造・宮尾正信（九大）  ED2007-1 SDM2007-1 OME2007-1 |
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| 抄録 | （和） | SiGe/SOI構造の酸化過程を広い温度域で検討した。その結果、低温(<680 ^{o}C)、中温(700~800 ^{o}C)、高温(>800 ^{o}C)領域で酸化特性が異なることを見出した。低温(<680 ^{o}C)領域ではSiO_{2}膜の形成厚が薄いため、酸化反応は界面反応律速型である。SiO2/SiGe界面でのGe偏析量は小さく、界面のGe濃度はSiGe層の初期Ge濃度とほぼ同じであった。そのため、初期Ge濃度に依存した増速酸化が見られた。一方、高温(>800 ^{o}C)領域では、SiO_{2}膜厚が厚いため、酸化反応はSiO_{2}中のOの拡散で律速されることがわかった。従って、酸化速度はGe濃度に依存しなかった。中温(700~800 ^{o}C)領域では、初期Ge濃度が高濃度(>20%)の試料で、酸化速度が温度に依存しないことがわかった。この現象は、温度上昇による酸化促進と界面Ge濃度の高濃度化(>50%)による酸化抑制の拮抗によると考えられる。 |
| （英） | Oxidation of SiGe/SOI structures was investigated at wide-ranging temperature. Different oxidation characteristics were observed at low (<680 ^{o}C), middle (700-800 ^{o}C), and high (>800 ^{o}C) temperatures. At low (<680 ^{o}C) temperatures, formed SiO_{2} thickness was thin (<50 nm). Thus, oxidation rate was limited by reaction at SiO2/SiGe interfaces and piled-up Ge was little i.e., Ge fraction at the interface was almost the same as the initial Ge fraction. Therefore, initial Ge fraction dependent enhanced oxidation was observed. On the other hand, at high (>800 ^{o}C) temperatures, SiO_{2} thickness was thick (>100 nm). Thus, oxidation rate was limited by diffusion of oxygen in SiO_{2}. Therefore, oxidation rate does not depend on the Ge fraction. At middle temperatures (700~800 ^{o}C), oxidation rate does not depend on the temperature for the samples with high initial Ge fraction (>20%). This is due to that increase in oxidation rate by increasing temperature was cancelled by the retardation of oxidation by high Ge piled-up fraction (>50 %). | |
| キーワード | （和） | 歪Si / SiGe / 酸化 / / / / / |
| （英） | strained Si / SiGe / oxidation / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 14, SDM2007-1, pp. 1-4, 2007年4月. | |
| 資料番号 | SDM2007-1 | |
| 発行日 | 2007-04-13 (ED, SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-1 SDM2007-1 OME2007-1 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME SDM ED |
| 開催期間 | 2007-04-20 - 2007-04-20 |
| 開催地（和） | 九州大学西新プラザ |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-04-OME-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiGe/SOI 構造の酸化現象とその解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ge Dependent Oxidation Process in SiGe/SOI Structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 歪Si / strained Si |
| キーワード(2)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化 / oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 政典 / Masanori Tanaka / タナカ マサノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大賀 達夫 / Tatsuo Ohka / オオカ タツオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh / サドウ タイゾウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮尾 正信 / Masanobu Miyao / ミヤオ マサノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-04-20 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2007-1, SDM2007-1, OME2007-1 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.13(ED), no.14(SDM), no.15(OME) |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-04-13 (ED, SDM, OME) |
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