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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-07 13:55 Si3N4/Si-rich Nitride(SRN)/Si3N4積層膜の電子捕獲特性 ○峰 利之・石田 猛・濱村浩孝・鳥居和功（日立）  SDM2007-32 |
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| 抄録 | （和） | MONOS型不揮発性メモリの書換え動作に伴う電荷の局在抑制を目的に，Siを過剰に含むSiリッチ窒化膜(SRN)の電子捕獲特性，リテンション特性について検討を行った。Si窒化膜の膜厚を変えたMONOS構造にアバランシェ電子注入を行い電子の捕獲分布，高温リテンション特性を評価した。その結果，SRNもSi3N4と同様に電子はSi窒化膜の上下界面に捕獲されるが，高温リテンション特性は著しく劣化することが分かった。この対策として，窒化膜のトラップ深さと電子捕獲分布の解析を基にSi3N4/SRN/Si3N4積層構造を提案した。Si酸化膜と接する上下界面に極薄Si3N4(2nm)を形成した積層膜は，Si3N4単層膜と同等の捕獲特性，リテンション特性を示した。電荷保持膜をSi3N4/SRN/Si3N4積層膜にすることで，書換え回数の増大とリテンション特性確保の両立が期待できる。 |
| （英） | For the purpose of providing higher reliability to MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) type nonvolatile memory, we have investigated an electron capture characteristic, a retention characteristic of the MONOS structure with SRN（Si-rich nitride） films. Electrons are mainly captured at a top and bottom interface of SRN films, which is same electron-capture distribution as the MONOS structure with Si3N4 film. However, a high-temperature retention characteristic of the MONOS structure with SRN film degraded remarkably as compared with that with Si3N4 film. Based on these findings, we proposed the MONOS structure with Si3N4/SRN/Si3N4 which can provide both an increase in P/E cycles and a sufficient retention characteristic. | |
| キーワード | （和） | MONOS / SRN / トラップ / リテンション / アバランシェ注入 / / / |
| （英） | MONOS / SRN / Trap / Retention / Avalanche injection / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-32, pp. 7-11, 2007年6月. | |
| 資料番号 | SDM2007-32 | |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-32 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-06-07 - 2007-06-08 |
| 開催地（和） | 広島大学（学士会館） |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. ( Faculty Club) |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si3N4/Si-rich Nitride(SRN)/Si3N4積層膜の電子捕獲特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electron Trap Characteristics of Si3N4/SRN/Si3N4 stacked films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MONOS / MONOS |
| キーワード(2)（和/英） | SRN / SRN |
| キーワード(3)（和/英） | トラップ / Trap |
| キーワード(4)（和/英） | リテンション / Retention |
| キーワード(5)（和/英） | アバランシェ注入 / Avalanche injection |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 峰 利之 / Toshiyuki Mine / ミネ トシユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 猛 / Takeshi Ishida / イシダ タケシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory (略称： Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濱村 浩孝 / Hirotaka Hamamura / ハマムラ ヒロタカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory (略称： Hitachi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鳥居 和功 / Kazuyoshi Torii / トリイ カズヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory (略称： Hitachi) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-07 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-32 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.85 |
| ページ範囲 | pp.7-11 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) |
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