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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-07 16:45 高圧水蒸気処理によるSiO2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性 ○矢野裕司・武田大輔・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）  SDM2007-38 |
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| 抄録 | （和） | パワーMOSFET用材料として注目されている4H-SiCであるが，MOSFETの反転層チャネル移動度が小さいという問題がある．我々は4H-SiCのMOS構造に対し高圧水蒸気処理を行い，MOS界面改質の効果とMOSFET 特性の改善について調べたので報告する．Si面に対してAlゲート電極を形成前に390度，1.6MPaの高圧水蒸気処理を行った場合に，チャネル移動度は3.6 cm2/Vsから5.0 cm2/Vsへと向上した．しかし，Alゲート電極を形成後に高圧水蒸気処理した場合，チャネル移動度はほとんど変化しなかった(3.5 cm2/Vs)．高圧水蒸気処理が4H-SiCのMOS界面特性に与える効果およびそのメカニズムを考察した． |
| （英） | High-pressure H2O vapor annealing was performed for 4H-SiC MOS structures to modify interface properties and MOSFET performance. Effect of high-pressure H2O vapor annealing was different for the MOS structures with/without Al gate electrodes on SiO2. Interface properties were improved by annealing at 390oC under 1.6MPa in H2O vapor. Channel mobility of Si-face MOSFETs was increased from 3.6 to 5.0 cm2/Vs after annealing without Al gate electrodes. However, no improvement was observed for MOSFETs annealed with Al gate electrodes. Mechanism of high-pressure H2O vapor annealing was discussed. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / MOS界面 / MOSFET / 高圧水蒸気処理 / 界面準位 / 固定電荷 / / |
| （英） | 4H-SiC / MOS interface / MOSFET / high-pressure H2O vapor anneal / interface state / fixed charge / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-38, pp. 37-42, 2007年6月. | |
| 資料番号 | SDM2007-38 | |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-38 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-06-07 - 2007-06-08 |
| 開催地（和） | 広島大学（学士会館） |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. ( Faculty Club) |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高圧水蒸気処理によるSiO2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of High-Pressure H2O Vapor annealing on SiO2/4H-SiC Interface Properties and MOSFET Performance |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MOS界面 / MOS interface |
| キーワード(3)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | 高圧水蒸気処理 / high-pressure H2O vapor anneal |
| キーワード(5)（和/英） | 界面準位 / interface state |
| キーワード(6)（和/英） | 固定電荷 / fixed charge |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 裕司 / Hiroshi Yano / ヤノ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武田 大輔 / Daisuke Takeda / タケダ ダイスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama / ハタヤマ トモアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-07 16:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-38 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.85 |
| ページ範囲 | pp.37-42 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) |
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