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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-08 09:00 プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造 ○寺本章伸・荒谷 崇・樋口正顕（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・野平博司（武蔵工大）・須川成利・大見忠弘・服部健雄（東北大）  SDM2007-39 |
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| 抄録 | （和） | マイクロ波励起Xe/NH3プラズマ中において、Siをプラズマ窒化することによりSi(100)、(111)、(110)上に形成したSi3N4/Si界面における中間窒化状態（サブナイトライド）の面密度と価電子帯オフセットを、フォトン・エネルギ1050 eVの軟X線により励起したSi 2p光電子スペクトルの測定とフォトン・エネルギ951 eVの軟X線により励起した価電子帯スペクトルの光電子の脱出角15oと80oにおける測定から決定した。サブナイトライドの面密度はSi基板の面密度の増加に伴い減少した。価電子帯オフセットはいずれの面方位においても、1.63±0.06eVとなった。 |
| （英） | An area density of subnitride and a valence band offset in Si3N4 films formed on Si(100), (111), (110) surface by microwave excited Xe/NH3 plasma are evaluated using Si 2p spectra emitted by soft X-ray (wave length=1050 eV) and the spectra of the valence band for escape angle of 15º and 80º emitted by soft X-ray (wave length=951 eV), respectively. The density of subnitride decreases with an increase in the surface area density of Si atoms. The energy offsets of balance band for Si3N4 formed by the radical nitridation are the same for every Si surface orientation. | |
| キーワード | （和） | シリコン窒化膜 / サブナイトライド / 界面 / XPS / / / / |
| （英） | silicon nitride film / subnitride / interface / XPS / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-39, pp. 43-48, 2007年6月. | |
| 資料番号 | SDM2007-39 | |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-39 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-06-07 - 2007-06-08 |
| 開催地（和） | 広島大学（学士会館） |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. ( Faculty Club) |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on subnitride and valence band offset at Si3N4 / Si interface formed using nitrogen radicals |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン窒化膜 / silicon nitride film |
| キーワード(2)（和/英） | サブナイトライド / subnitride |
| キーワード(3)（和/英） | 界面 / interface |
| キーワード(4)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒谷 崇 / Takashi Aratani / アラタニ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 樋口 正顕 / Masaaki Higuchi / ヒグチ マサアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池永 英司 / Eiji Ikenaga / イケナガ エイジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称： JASRI) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野平 博司 / Hiroshi Nohira / ノヒラ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 武蔵工業大学 (略称： 武蔵工大) Musashi Institute of Technology (略称： Musashi Institute of Technology) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-08 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-39 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.85 |
| ページ範囲 | pp.43-48 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) |
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