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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-08 09:25 極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果 ○寺井真之・藤枝信次（NEC）  SDM2007-40 |
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| 抄録 | （和） | プラズマ酸窒化膜をゲート絶縁膜に用いたp型MOSFETのNBTIに対し、プラズマ窒化及びフッ素導入が及ぼす効果を調べた。これらの効果を明らかにするため、NBTストレスによる閾値変動を（１）SiON/Si基板の界面に生成したトラップ成分と、（２）SiON膜中の正電荷成分の２つに分離した。その結果、閾値変動成分の界面トラップ/正電荷成分の比率は窒化プロセスに依存することが分かった。SiON/Si基板界面の窒素量を下げることで界面トラップ成分は低減された。Poly-Si電極／SiON膜界面近傍の窒素濃度を下げた場合、SiON膜中の初期の正固定電荷密度は減少するが、NBTIは減少しなかった。さらに、プラズマSiON膜へのフッ素導入は、膜中電荷成分の低減には寄与しないが、界面準位成分を減少させることがわかった。 |
| （英） | The effects of plasma nitridation and fluorine incorporation on the components of negative-bias temperature instability (NBTI) in p-type MOSFETs with plasma-nitrided SiON gates were investigated. To clarify these effects, NBTI-induced threshold-voltage shift was separated into two components: one for generation of traps at the SiON/Si-substrate interface and one for positive charges within the SiON bulk. It was found that the proportions of the interface and bulk components can be controlled with plasma-nitridation method: the bulk component was increased by RF-plasma nitridation, while the interface component was dominant in the case of ECR-plasma nitridation. Lowering the nitrogen concentration near the SiON/Si-substrate interface decreased the interface component. Lowering the nitrogen concentration near the poly-Si/SiON interface did not decrease NBTI, while it decreased positive oxide charges in the as-fabricated MOSFETs. Furthermore, it was demonstrated that the fluorine incorporation decreases the interface component in plasma-nitrided SiON gates, while it does not decrease the bulk component. | |
| キーワード | （和） | CMOS / リモートプラズマ窒化 / RPN / 酸窒化膜 / NBTI / / / |
| （英） | CMOS / Remote plasma nitridation / RPN / Oxinitride / SiON / NBTI / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-40, pp. 49-54, 2007年6月. | |
| 資料番号 | SDM2007-40 | |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-40 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-06-07 - 2007-06-08 |
| 開催地（和） | 広島大学（学士会館） |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. ( Faculty Club) |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Nitrogen Profile and Fluorine Incorporation on Negative-bias Temperature Instability of Ultrathin Plasma-nitrided SiON MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | リモートプラズマ窒化 / Remote plasma nitridation |
| キーワード(3)（和/英） | RPN / RPN |
| キーワード(4)（和/英） | 酸窒化膜 / Oxinitride |
| キーワード(5)（和/英） | NBTI / SiON |
| キーワード(6)（和/英） | / NBTI |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺井 真之 / Masayuki Terai / テライ マサユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC (略称： NEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤枝 信次 / Shinji Fujieda / フジエダ シンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC (略称： NEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-08 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-40 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.85 |
| ページ範囲 | pp.49-54 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) |
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