| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-08 11:20 ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 ～ 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果 ～ ○佐藤創志・舘 喜一・宋 在烈・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一生・杉井信之・服部健雄・岩井 洋（東工大）  SDM2007-44 |
|
| 抄録 | （和） | 窒素ラジカルの照射下においてEB蒸着によりLa2O3膜を堆積することにより、La2O3膜への窒素導入を行った。La2O3膜は電極堆積後アニール(PMA: Post Metallization Annealing)によりEOTが大きく増加する問題がある。高温アニールによるEOT増加を窒素添加によりわずかに抑制できた。N1s内殻準位の角度分解X線光電子分光(AR-XPS)は、界面層がSi-N結合を多く含むためにEOT増加が抑制されたことを示唆している。また、同時窒化を行ったnMOSFETを作製した。EOT=2.2nmであり、ピーク移動度は96.2 cm2/V sであった。 |
| （英） | This work reports the influence of nitridation on structural and electrical properties of La2O3 gate dielectric films. The issue of La2O3 is increase in EOT by high temperature post metarization annealing (PMA). To overcome this problem, we incorporated nitrogen in La2O3. The increase in EOT observed for the TaN/LaON and W/LaON structure is reduced compared with that observed for the W/La2O3 structure. This must be caused by nitrogen in LaON and SiNx-rich interfacial layer which seems to remain after annealing at high temperature. nMOSFET consisting of W/LaON/Si is also successfully fabricated. Peak electron mobility of 96.2 cm2/V s was obtained. | |
| キーワード | （和） | La2O3 / 窒素ラジカル / X線光電子分光 / / / / / |
| （英） | lanthanum oxide / nitrogen radicals / X-ray Photoelectron Spectroscopy / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-44, pp. 71-74, 2007年6月. | |
| 資料番号 | SDM2007-44 | |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-44 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-06-07 - 2007-06-08 |
| 開催地（和） | 広島大学（学士会館） |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. ( Faculty Club) |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 |
| サブタイトル（和） | 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果 |
| タイトル（英） | Effects of Nitrogen Incorporaton into La2O3 using Nitrogen Radicals |
| サブタイトル（英） | * |
| キーワード(1)（和/英） | La2O3 / lanthanum oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 窒素ラジカル / nitrogen radicals |
| キーワード(3)（和/英） | X線光電子分光 / X-ray Photoelectron Spectroscopy |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 創志 / Soshi Sato / サトウ ソウシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舘 喜一 / Kiichi Tachi / タチ キイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宋 在烈 / Jaeyeol Song / ソン ジェヨル |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | パールハット アヘメト / Parhat Ahmet / パールハット アヘメト |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii / スギイ ノブユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩井 洋 / Hiroshi Iwai / イワイ ヒロシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-08 11:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-44 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.85 |
| ページ範囲 | pp.71-74 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]