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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-08 14:15 光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価 ○大田晃生・中川 博・村上秀樹・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）  SDM2007-48 |
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| 抄録 | （和） | 化学溶液洗浄したp-Ge(100)基板上に、電子ビーム(EB) 蒸着により極薄Si 層を堆積しNH3熱窒化(600°C)することで極薄SiONx層を形成し、O2雰囲気中反応性EB 蒸着によりHfO2膜(膜厚:~2.7nm)を堆積したHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造において、膜堆積後の熱処理が膜中及び界面の化学結合状態に与える影響をX 線光電子分光(XPS)により評価した。極薄Si層のNH3熱窒化により、界面組成急峻なSiONx層が形成でき、550°Cの超高真空中熱処理(~1x10-6Pa)および500ºCのO2雰囲気中熱処理(~38Pa)においても、SiONx/Ge(100)界面を安定保持できることを明らかにした。また、HfO2(~2.7nm)/SiONx(~1.2nm)/Ge(100)構造において450°Cの熱処理を行った場合、N2雰囲気中(~29Pa)ではGe原子の拡散を完全抑止できるのに対して、O2雰囲気中(~31Pa)ではHfO2/SiONxスタック構造中にGe原子が拡散し、HfO2膜上層にGe酸化膜が形成されることが分った。 |
| （英） | ~2.7nm-thick HfO2 films were formed by electron beam (EB) evaporation in O2 ambience on ultrathin SiONx/Ge(100) stack structure fabricated by NH3-anneal at 600°C for the HF-last Si on Ge(100) and the impact of post deposition annealing (PDA) on chemical bonding features for this stack structure was evaluated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). We found that the ultrathin SiONx/Ge(100) surface was stable against annealing at 550ºC in ultra-high vacuum(UHV) ambience (~1x10-6Pa) and at 500°C in O2 ambience (~38Pa). For the HfO2(~2.7nm)/SiON(~1.2nm)/Ge(100) stack structure, Ge atom diffusion into the HfO2/SiON layer was hardly detected by the PDA at 450ºC in N2 ambience (~29Pa). In the case of O2 ambience (~31Pa), Ge atom diffused and incorporated into the HfO2/SiON layer, and result in the formation of GeOx layer in the region near the top of sample surface. | |
| キーワード | （和） | high-k / HfO2 / SiONx / Ge(100) / X線光電子分光法(XPS) / / / |
| （英） | high-k / HfO2 / SiONx / Ge(100) / X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 85, SDM2007-48, pp. 91-96, 2007年6月. | |
| 資料番号 | SDM2007-48 | |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-06-07 - 2007-06-08 |
| 開催地（和） | 広島大学（学士会館） |
| 開催地（英） | Hiroshima Univ. ( Faculty Club) |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、研究集会「ゲートスタック構造の新展開（案）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Thermal Stability of HfO2/SiONx/Ge(100) Stacked Structures using by Photoemission Spectroscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | high-k / high-k |
| キーワード(2)（和/英） | HfO2 / HfO2 |
| キーワード(3)（和/英） | SiONx / SiONx |
| キーワード(4)（和/英） | Ge(100) / Ge(100) |
| キーワード(5)（和/英） | X線光電子分光法(XPS) / X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中川 博 / Hiroshi Nakagawa / ナカガワ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 秀樹 / Hideki Murakami / ムラカミ ヒデキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-08 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-48 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.85 |
| ページ範囲 | pp.91-96 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-05-31 (SDM) |
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