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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-15 15:50 コレクタ層内にSiO2細線を埋め込んだHBTのDC特性 ○高橋新之助・三浦 司・山下浩明（東工大）・宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST）  ED2007-37 |
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| 抄録 | （和） | HBTのInPコレクタ層内に低誘電率絶縁体のSiO2を埋め込んだ素子ではベースコレクタ間容量が低減され、トランジスタの高速動作が期待できる。等価回路解析によると、200nmのSiO2細線を埋め込むことにより最大発振周波数が2倍程度向上する。幅310nm, 厚さ200nmのSiO2細線をInPサブコレクタとコレクタで埋め込むことに我々は成功したが、SiO2細線を埋め込むことによるMOVPEでの結晶成長への影響及びエミッタ直下のSiO2細線によるリークや電流増幅抑制等によるデバイスの劣化が懸念される。そこで、実際にSiO2細線を埋め込んだ素子を作製し、直流により特性を評価した。エミッタ接地特性においてはSiO2細線を埋め込んでいない素子とほとんど差がない特性が得られた。 |
| （英） | The HBT with buried SiO2 in InP collector has low Base-Collector Capacitance(CBC). Therefore this HBT is expected high speed operation. In equivalent circuit analysis, HBT with buried SiO2 wires of thickness 200nm in collector exhibit two times increase in fmax. SiO2 wires of width 310nm and thickness 200nm were buried in InP Sub-collector and collector. To observe influence on epitaxial crystal growth by insertion of SiO2 wires through leak current and current gain in HBT, HBT with buried SiO2 wires in collector was fabricated and evaluated by DC characteristics. This HBT exhibited the almost same characteristics compared with conventional HBT. | |
| キーワード | （和） | HBT / MOVPE / 再成長 / InP / ベースコレクタ間容量 / SiO2細線 / / |
| （英） | HBT / MOVPE / regrowth / InP / Base-Collector capacitance / SiO2 wires / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 95, ED2007-37, pp. 33-37, 2007年6月. | |
| 資料番号 | ED2007-37 | |
| 発行日 | 2007-06-08 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-37 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2007-06-15 - 2007-06-16 |
| 開催地（和） | 富山大学 |
| 開催地（英） | Toyama Univ. |
| テーマ（和） | 化合物半導体プロセス・デバイス・一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor Process, Device, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | コレクタ層内にSiO2細線を埋め込んだHBTのDC特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | DC characteristics of HBT with buried SiO2 wires in collector |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | 再成長 / regrowth |
| キーワード(4)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(5)（和/英） | ベースコレクタ間容量 / Base-Collector capacitance |
| キーワード(6)（和/英） | SiO2細線 / SiO2 wires |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 新之助 / Shinnosuke Takahashi / タカハシ シンノスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 司 / Tsukasa Miura / ミウラ ツカサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 浩明 / Hiroaki Yamashita / ヤマシタ ヒロアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学/JST-CREST (略称： 東工大/JST) Tokyo Institute of Technology/JST-CREST (略称： Tokyo Tech/JST-CREST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古屋 一仁 / Kazuhito Furuya / フルヤ カズヒト |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学/JST-CREST (略称： 東工大/JST) Tokyo Institute of Technology/JST-CREST (略称： Tokyo Tech/JST-CREST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-15 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-37 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.95 |
| ページ範囲 | pp.33-37 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-06-08 (ED) |
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