| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-16 11:00 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究 ○野本一貴・田島 卓（法政大）・三島友義（日立電線）・佐藤政孝・中村 徹（法政大）  ED2007-44 |
|
| 抄録 | （和） | 本研究では低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの作成を行った。アンドープGaN/AlGaN/GaNのソース・ドレイン電極下に選択的に高濃度イオン注入を行いオン抵抗の低減を図った。また同時に、直流特性の評価も行った。注入エネルギー80 keV、実効注入量1.0×1015/cm2のときイオン注入を行っていないものと比べて、オン抵抗は26.2から4.2 Ω•mmと減少した。このとき、最大飽和電流、相互コンダクタンスはそれぞれ284から723 mA/mm、48から147 mS/mmへと増加した。 |
| （英） | We were demonstrated the realization of compatibility of extremely low gate leakage current and low source resistance with Si ion-implanted GaN/AlGaN/GaN surface-stabilized high-electron mobility transistor (HEMT) without any recess etching process. The source/drain regions were formed using Si ion implantation into undoped GaN/AlGaN/GaN on sapphire substrate. Using ion implantation into source/drain regions with energy of 80 keV, the performances were significantly improved. On-resistance reduced from 26.2 to 4.2 Ω•mm. Saturation drain current and maximum transconductance increased from 284 to 723 mA/mm and from 48 to 147 mS/mm. | |
| キーワード | （和） | 窒化ガリウム / イオン注入 / 高電子移動度トランジスタ / / / / / |
| （英） | GaN/AlGaN/GaN / Ion Implantation / HEMT / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 95, ED2007-44, pp. 71-74, 2007年6月. | |
| 資料番号 | ED2007-44 | |
| 発行日 | 2007-06-08 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-44 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2007-06-15 - 2007-06-16 |
| 開催地（和） | 富山大学 |
| 開催地（英） | Toyama Univ. |
| テーマ（和） | 化合物半導体プロセス・デバイス・一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor Process, Device, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ion-Implanted GaN/AlGaN/GaN HEMTs with Extremely Low Gate Leakage Current |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / GaN/AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | イオン注入 / Ion Implantation |
| キーワード(3)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野本 一貴 / Kazuki Nomoto / ノモト カズキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター (略称： 法政大) Department of EECE and Research Center for Micro-Nano Technology, Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田島 卓 / Taku Tajima / タジマ タク |
| 第2著者 所属（和/英） | 法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター (略称： 法政大) Department of EECE and Research Center for Micro-Nano Technology, Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立電線株式会社 (略称： 日立電線) R&D Group, Hitachi Cable Ltd. (略称： Hitachi Cable Ltd.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 政孝 / Masataka Satoh / サトウ マサタカ |
| 第4著者 所属（和/英） | 法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター (略称： 法政大) Department of EECE and Research Center for Micro-Nano Technology, Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 徹 / Tohru Nakamura / ナカムラ トオル |
| 第5著者 所属（和/英） | 法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター (略称： 法政大) Department of EECE and Research Center for Micro-Nano Technology, Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-16 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-44 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.95 |
| ページ範囲 | pp.71-74 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-06-08 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]