講演抄録/キーワード |
講演名 |
2007-06-16 10:10
光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化 ○塩崎奈々子・橋詰 保(北大) ED2007-42 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-42 |
抄録 |
(和) |
光電気化学を用いたGaN表面の酸化プロセスについて検討した。グリコールを用いた中性溶液に浸したGaN表面にUV光を照射しながら電圧を印加し、通電後の表面を化学的・構造的に評価した。XPS測定によりプロセス後のGaN表面には薄いガリウム酸化膜が形成されたことが判明したが、表面のモホロジーや酸化膜厚さは、印加電圧値や通電時間などのプロセス条件により大きく変化した。電圧の印加方法を検討した結果、印加電圧を線形増加させることにより、表面・GaNとの界面が平坦な酸化膜を得ることができた。フォトルミネッセンス測定により、本手法で酸化した部分は未酸化の部分と比較して3倍近く発光強度が増加した。 |
(英) |
This paper reports the feasibility of oxidation on n-GaN surface using photoelectrochemical process in a mixed solution with glycol solution. The sample was immersed into the mixed solution with tartaric acid and propylene glycol. Then, bias voltage was applied on the surface under UV illumination. The XPS measurement revealed the surface was oxidized to form the gallium oxide. The quality of the surface and layer varied according to the conditions such as processing time and bias voltage. When the combination of the ramp and constant bias form was used as applied voltage, the photoluminescence on the processed surface presented the 3-times increase in intensity. |
キーワード |
(和) |
GaN / 陽極酸化 / 光電気化学 / 酸化ガリウム / / / / |
(英) |
GaN / anodic oxidation / photoelectrochemical / gallium oxide / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 95, ED2007-42, pp. 61-65, 2007年6月. |
資料番号 |
ED2007-42 |
発行日 |
2007-06-08 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2007-42 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-42 |