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講演抄録/キーワード
講演名 2007-06-16 10:10
光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化
塩崎奈々子橋詰 保北大ED2007-42 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-42
抄録 (和) 光電気化学を用いたGaN表面の酸化プロセスについて検討した。グリコールを用いた中性溶液に浸したGaN表面にUV光を照射しながら電圧を印加し、通電後の表面を化学的・構造的に評価した。XPS測定によりプロセス後のGaN表面には薄いガリウム酸化膜が形成されたことが判明したが、表面のモホロジーや酸化膜厚さは、印加電圧値や通電時間などのプロセス条件により大きく変化した。電圧の印加方法を検討した結果、印加電圧を線形増加させることにより、表面・GaNとの界面が平坦な酸化膜を得ることができた。フォトルミネッセンス測定により、本手法で酸化した部分は未酸化の部分と比較して3倍近く発光強度が増加した。 
(英) This paper reports the feasibility of oxidation on n-GaN surface using photoelectrochemical process in a mixed solution with glycol solution. The sample was immersed into the mixed solution with tartaric acid and propylene glycol. Then, bias voltage was applied on the surface under UV illumination. The XPS measurement revealed the surface was oxidized to form the gallium oxide. The quality of the surface and layer varied according to the conditions such as processing time and bias voltage. When the combination of the ramp and constant bias form was used as applied voltage, the photoluminescence on the processed surface presented the 3-times increase in intensity.
キーワード (和) GaN / 陽極酸化 / 光電気化学 / 酸化ガリウム / / / /  
(英) GaN / anodic oxidation / photoelectrochemical / gallium oxide / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 95, ED2007-42, pp. 61-65, 2007年6月.
資料番号 ED2007-42 
発行日 2007-06-08 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2007-42 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-42

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2007-06-15 - 2007-06-16 
開催地(和) 富山大学 
開催地(英) Toyama Univ. 
テーマ(和) 化合物半導体プロセス・デバイス・一般 
テーマ(英) Compound Semiconductor Process, Device, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2007-06-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Anodic oxidation on n-GaN surface using photoelectrochemical process 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) 陽極酸化 / anodic oxidation  
キーワード(3)(和/英) 光電気化学 / photoelectrochemical  
キーワード(4)(和/英) 酸化ガリウム / gallium oxide  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 塩崎 奈々子 / Nanako Shiozaki / シオザキ ナナコ
第1著者 所属(和/英) 北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター (略称: 北大)
Graduate School of Information Science and Technology, Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume /
第2著者 所属(和/英) 北海道大学情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター (略称: 北大)
Graduate School of Information Science and Technology, Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-06-16 10:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2007-42 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.95 
ページ範囲 pp.61-65 
ページ数
発行日 2007-06-08 (ED) 


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