| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-06-16 10:35 AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ○田中成明（北陸先端大）・住田行常（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大）  ED2007-43 |
|
| 抄録 | （和） | AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)に対するAlNを用いた表面パッシベーションの検討を行った. AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるパッシベーション膜形成では, プロセスダメージによるチャネルシート抵抗の増大が観測される. しかしながら, このダメージはその後の窒素雰囲気中アニールで回復できることがわかった. この結果得られたデバイスでは, AlNが厚いほどドレイン電流と相互コンダクタンスが増加し, 高い電圧印加時におけるドレイン電流減少が抑制されることがわかった. このことは, AlNが表面パッシベーション効果のみならず, 放熱特性の向上をもたらしていることを示している. |
| （英） | We have investigated AlN surface passivation for AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors (HFETs). After the formation of passivation films by RF magnetron sputtering using AlN target, increases in the channel sheet resistance due to the process damage are observed. However, this damage can be eliminated by thermal annealing in $ \rm N_2 $ ambient. The resultant devices exhibit increases in the drain current and the transconductance, which are more prominent for thicker AlN films. This indicates that the AlN films cause not only the surface passivation effects but also improvements in thermal management. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN HFET / AlNパッシベーション / プロセスダメージ / / / / / |
| （英） | AlGaN/GaN HFET / AlN passivation / process damage / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 95, ED2007-43, pp. 67-70, 2007年6月. | |
| 資料番号 | ED2007-43 | |
| 発行日 | 2007-06-08 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-43 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2007-06-15 - 2007-06-16 |
| 開催地（和） | 富山大学 |
| 開催地（英） | Toyama Univ. |
| テーマ（和） | 化合物半導体プロセス・デバイス・一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor Process, Device, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface passivation of AlGaN/GaN HFETs by RF magnetron sputtering using AlN target |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HFET / AlGaN/GaN HFET |
| キーワード(2)（和/英） | AlNパッシベーション / AlN passivation |
| キーワード(3)（和/英） | プロセスダメージ / process damage |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 成明 / Nariaki Tanaka / タナカ ナリアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 住田 行常 / Yasunobu Sumida / スミダ ヤスノブ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 パウデック (略称： パウデック) POWDEC K.K. (略称： POWDEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 寿一 / Toshi-kazu Suzuki / スズキ トシカズ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 (略称： 北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称： JAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-06-16 10:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-43 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.95 |
| ページ範囲 | pp.67-70 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-06-08 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]