| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2007-08-09 13:40
P3HT有機電界効果トランジスタの有機絶縁膜界面の化学修飾効果 ○小岩恭祐・松島 優・テイ ヘンシン(山形大)・廣瀬文彦(山形大/JST)・木村康男・庭野道夫・板谷謹悟(東北大/JST) CPM2007-37 |
| 抄録 |
(和) |
ポリチオフェンなどのポリマー系有機半導体は塗布で形成可能であり、形成のために高価真空装置が不要であり、大気酸化に強いなどの特徴がある。我々は代表的なポリチオフェンであるP3HTを材料に有機FETの試作を行い、大電流化を果たすべく絶縁膜・有機界面に修飾層を挿入し効果をえたので報告する。学会ではHMDSやPMMA修飾例を中心に報告する。 |
| (英) |
P3HT has attracted much attention as a source material of organic field effect transistors (OFETs) because it is easily solved with a chloroform solution to be instantly casted as a film. We have investigated effects of chemical modification on oxide surfaces of P3HT OFETs on the electric performance. We have confirmed HMDS treatments are effective to improve the transconductunce of OFETs. We discuss the mechanism of the chemical treatment on the OFET operation in the present paper. |
| キーワード |
(和) |
有機電界効果トランジスタ / HMDS / XRD / FTIR / / / / |
| (英) |
OFET / HMDS / XRD / FTIR / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 178, CPM2007-37, pp. 5-8, 2007年8月. |
| 資料番号 |
CPM2007-37 |
| 発行日 |
2007-08-02 (CPM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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CPM2007-37 |