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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-08-09 15:45 DCプラズマ援用CVDを用いた触媒薄膜断面における垂直配向CNT成長 奥山博基・園村拓也・岩田展幸・○山本 寛（日大）  CPM2007-41 |
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| 抄録 | （和） | CNTのナノスケール電子デバイス応用を目指し、CNTの位置制御、配向制御を試みた。今回我々は、触媒層の断面を垂直配向CNTの位置制御に利用することを提案する。基板表面からCNTが成長しないように、Ni触媒層上にMo被覆層を積層した。ダイヤモンドペン、FIB、リフトオフ法を用い、積層膜を削り取ることにより、断面からNi触媒層を露出させた。CNTは、DCプラズマCVD法を用いて成長させた。 SEM像、TEM像から、基板面に垂直な方向に直径約25 nmの多層CNTが成長していることを確認した。垂直配向CNTは、触媒層断面のみから成長していた。よって、厚さ数十nmの触媒層断面をナノスケール触媒位置制御に利用できることが確かめられた。今回提案した成長制御技術は、様々なCNTナノデバイスの作製に応用できると期待している。 |
| （英） | Position and/or direction controlling of CNTs is a necessary process technology to prepare nanoscaled CNT electronic devices, such as scanning probe microscopy tips or electronic measuring nanoprobes. We want to demonstrate a new position-controlling method for vertically aligned CNT (VACNT) growth on edges of catalytic thin films. A Mo film was deposited on a Ni catalyst thin film to prevent CNT growth from surfaces. The bi-layered films were partially shaved using a diamond cutter, FIB, and lift-off method to obtain fresh Ni sectional planes. CNTs were grown using a DC plasma-enhanced CVD method. From SEM and TEM images it was confirmed that multiwalled VACNTs with ca. 25 nm diameter grew vertically to substrate surfaces. The VACNT growth took place from only sectional planes of the catalytic Ni film. The sectional plane with few tens nm thickness acted as an effective nano-catalyst. Conclusively the VACNTs can be grown selectively on sectional planes of catalytic thin films. The technique newly developed in this work will be applied to prepare various CNT nano-devices. |
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| キーワード | （和） | 垂直配向カーボンナノチューブ / プラズマCVD / 断面 / 薄膜触媒 / 成長制御 / / / |
| （英） | Vertically aligned CNT / Plasma-enhanced CVD / Sectional plane / Catalytic thin film / Growth control / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 178, CPM2007-41, pp. 27-32, 2007年8月. | |
| 資料番号 | CPM2007-41 | |
| 発行日 | 2007-08-02 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2007-41 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2007-08-09 - 2007-08-10 |
| 開催地（和） | 山形大学 |
| 開催地（英） | Yamagata Univ. |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | Electronic Component Parts and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2007-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | DCプラズマ援用CVDを用いた触媒薄膜断面における垂直配向CNT成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Vertically Aligned CNT Growth on Sectional Plane of Catalytic Thin Film Using DC Plasma-Enhanced CVD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 垂直配向カーボンナノチューブ / Vertically aligned CNT |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマCVD / Plasma-enhanced CVD |
| キーワード(3)（和/英） | 断面 / Sectional plane |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜触媒 / Catalytic thin film |
| キーワード(5)（和/英） | 成長制御 / Growth control |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥山 博基 / Hiroki Okuyama / オクヤマ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 園村 拓也 / Takuya Sonomura / ソノムラ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata / イワタ ノブユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto / ヤマモト ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 講演者 | 第4著者 |
| 発表日時 | 2007-08-09 15:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2007-41 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.178 |
| ページ範囲 | pp.27-32 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-08-02 (CPM) |
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