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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-08-10 11:20 SiGeをアノード層に用いた高速リカバリpinダイオード ○井田雄介・長瀬真一・廣瀬文彦（山形大）  CPM2007-48 |
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| 抄録 | （和） | 電力用還流ダイオードとして広く使われているSi-pinダイオードのp層にSiGeを用い、i層への金拡散を併用することで、pinダイオードの順方向電圧降下を劣化させずに効果的に逆方向回復時間Trrを縮小できることをシミュレーションにより確認した。本技術を活用することでシミュレーションの結果ではあるが、280V系ダイオードでリカバリ時間50ns、順方向電圧降下として100A/cm2で0.79Vを期待できることがわかった。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | SiGe / pinダイオード / 逆方向回復時間 / / / / / |
| （英） | SiGe / pin-diode / recovery time / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 178, CPM2007-48, pp. 65-67, 2007年8月. | |
| 資料番号 | CPM2007-48 | |
| 発行日 | 2007-08-02 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2007-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2007-08-09 - 2007-08-10 |
| 開催地（和） | 山形大学 |
| 開催地（英） | Yamagata Univ. |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | Electronic Component Parts and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2007-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiGeをアノード層に用いた高速リカバリpinダイオード |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fast recovery pin diodes with SiGe anode layers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(2)（和/英） | pinダイオード / pin-diode |
| キーワード(3)（和/英） | 逆方向回復時間 / recovery time |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井田 雄介 / Yusuke Ida / イダ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 山形大学大学院 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長瀬 真一 / Shinichi Nagase / ナガセ シンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 山形大学大学院 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose / ヒロセ フミヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 山形大学大学院 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-08-10 11:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2007-48 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.178 |
| ページ範囲 | pp.65-67 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2007-08-02 (CPM) |
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