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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-08-24 15:15 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減 ○三浦勝哉・河原尊之・竹村理一郎（日立）・早川 純（日立/東北大）・山ノ内路彦（日立）・池田正二・佐々木龍太郎（東北大）・伊藤顕知・高橋宏昌・松岡秀行（日立）・大野英男（東北大）  SDM2007-166 ICD2007-94 |
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| 抄録 | （和） | 磁性体メモリの一つであるSPin-transfer torque RAM（SPRAM）は，高速動作，低電力化が可能な不揮発メモリとして期待されている．SPRAMはメモリセルとして，MgO障壁層を備えたトンネル磁気抵抗（TMR）素子を用いる．このTMR素子は，自由層に用いる磁性体の熱安定性を大きくすることによって，読み出しの際の誤書き込み（ディスターブ）および書き込み電流のばらつきを低減することができる．熱安定性の大きいと期待される積層フェリ（SyF）自由層を用いた場合，他の構造と比べて読み出しディスターブと書き込み電流のばらつきがともに抑制されており，読み出しと書き込み動作が安定化することが明らかとなった．さらに，SyF自由層の記録保持時間，読み出し電流，読み出し時間の関係を調査した結果，1.5 ns以下の高速な読み出しが可能であることがわかった． |
| （英） | SPin-transfer torque RAM (SPRAM) with MgO-barrier-based magnetic tunnel junctions (MTJs) is a promising candidate for a future universal memory due to its non-volatility, high-speed operation and low power consumption. The read disturbance and the write-current dispersion of an MTJ could be suppressed by adopting a free layer with high thermal stability. We found that SPRAM with SyF free layer demonstrates the secure reading and writing and achieves the high-speed reading faster than 1.5 ns. | |
| キーワード | （和） | ユニバーサルメモリ / 不揮発RAM / 低電力RAM / スピン注入磁化反転 / トンネル磁気抵抗 / 積層フェリ自由層 / / |
| （英） | Universal memory / non-volatile RAM / low power RAM / spin-transfer torque / TMR / Synthetic ferrimagnetic free layer / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 194, SDM2007-166, pp. 135-138, 2007年8月. | |
| 資料番号 | SDM2007-166 | |
| 発行日 | 2007-08-16 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-166 ICD2007-94 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2007-08-23 - 2007-08-24 |
| 開催地（和） | 北見工業大学 |
| 開催地（英） | Kitami Institute of Technology |
| テーマ（和） | VLSI回路、デバイス技術（高速、低電圧、低消費電力）<オーガナイザ：榎本忠儀(中央大学)> |
| テーマ（英） | VLSI Circuit and Device Technologies (High Speed, Low Voltage, and Low Power Consumption) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | SPRAM (SPin-transfer torque RAM) with a synthetic ferrimagnetic free layer for suppressing read disturbance and write-current dispersion |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ユニバーサルメモリ / Universal memory |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発RAM / non-volatile RAM |
| キーワード(3)（和/英） | 低電力RAM / low power RAM |
| キーワード(4)（和/英） | スピン注入磁化反転 / spin-transfer torque |
| キーワード(5)（和/英） | トンネル磁気抵抗 / TMR |
| キーワード(6)（和/英） | 積層フェリ自由層 / Synthetic ferrimagnetic free layer |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 勝哉 / Katsuya Miura / ミウラ カツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 基礎研究所 (略称： 日立) Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河原 尊之 / Takayuki Kawahara / カワハラ タカユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹村 理一郎 / Riichiro Takemura / タケムラ リイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 早川 純 / Jun Hayakawa / ハヤカワ ジュン |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 基礎研究所，東北大学 電気通信研究所 (略称： 日立/東北大) Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd. /RIEC, Tohoku University (略称： Hitachi, Ltd./Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山ノ内 路彦 / Michihiko Yamanouchi / ヤマノウチ ミチヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 基礎研究所 (略称： 日立) Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 正二 / Shoji Ikeda / イケダ ショウジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 (略称： 東北大) RIEC, Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 龍太郎 / Ryutaro Sasaki / ササキ リュウタロウ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 (略称： 東北大) RIEC, Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 顕知 / Kenchi Ito / イトウ ケンチ |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 基礎研究所 (略称： 日立) Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 宏昌 / Hiromasa Takahashi / タカハシ ヒロマサ |
| 第9著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 中央研究所，株式会社 日立製作所 基礎研究所 (略称： 日立) Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松岡 秀行 / Hideyuki Matsuoka / マツオカ ヒデユキ |
| 第10著者 所属（和/英） | 株式会社 日立製作所 基礎研究所 (略称： 日立) Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 英男 / Hideo Ohno / オオノ ヒデオ |
| 第11著者 所属（和/英） | 東北大学 電気通信研究所 (略称： 東北大) RIEC, Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-08-24 15:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-166, ICD2007-94 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.194(SDM), no.195(ICD) |
| ページ範囲 | pp.135-138 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-08-16 (SDM, ICD) |
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