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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-09-20 16:10 n型有機トランジスタにおける絶縁層/半導体層界面、及び半導体層/電極界面に関する検討 ○福田翔平・梶井博武（阪大）・緒方寿幸・高橋元樹（東京応化）・大森 裕（阪大）  OME2007-29 エレソ技報アーカイブへのリンク：OME2007-29 |
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| 抄録 | （和） | フラーレン誘導体を半導体層として持つn型有機トランジスタにおけるソース/ドレイン電極構造とポリマー絶縁膜が及ぼす影響について検討した．ソース/ドレイン電極構造としてCsF (2 nm)/Ag (30 nm)を用いた時，有機トランジスタの閾値電圧が大幅に低下することが分かった．CsFとAgの共存層の形成が，効率的な電子注入を引き起こしたものと考えられる．ポリマー絶縁膜として，側鎖に異なる割合でフェノール基を含んだシロキサンポリマー系材料を検討した．シロキサンポリマーの側鎖のフェノール基の割合を減少させることによって有機トランジスタ中のキャリア移動度が向上することが分かった。側鎖のフェノール基の割合を減少させたシロキサンポリマーを絶縁膜に用いたOFETから移動度は0.024cm$^2$V${}^{-1}$s${}^{-1}$が得られ、側鎖全てがフェノール基で構成されたシロキサンポリマーを用いた時に比べ2倍の移動度を得た。 |
| （英） | The interface effects of insulator/active layer and active layer/electrode in solution-processed n-type organic field-effect transistors (OFETs) using [6,6]-phenyl C61-butyric acid methyl ester (PCBM) were investigated. Cesium fluoride (CsF) insertion at the active layer/electrode interface induces a large threshold voltage shift, and realizes low-gate-voltage operation. The threshold voltage shift followed by the insertion of CsF is mainly caused by the efficient electron injection due to the coexistence of CsF and a metal electrode. We also investigated the characteristics of OFETs using poly(p-silsequioxane) (PSQ) derivatives, which contain various amounts of phenol groups with OH in the side chain of their molecular structures. It is found that the field-effect mobility increases with decreasing phenol group ratio in their side chain. The mobility of the device with PSQ containing a phenol group ratio in a half of the side chain of molecular structures is 0.024cm$^2$V${}^{-1}$s${}^{-1}$, which is twice of that in all side chains. | |
| キーワード | （和） | 有機トランジスタ / CsF / OH基 / フェノール基 / PCBM / シロキサンポリマー / / |
| （英） | organic field-effect transistor / CsF / hydroxyl / phenol group / PCBM / silsesquioxane / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 217, OME2007-29, pp. 33-37, 2007年9月. | |
| 資料番号 | OME2007-29 | |
| 発行日 | 2007-09-13 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2007-29 エレソ技報アーカイブへのリンク：OME2007-29 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2007-09-20 - 2007-09-20 |
| 開催地（和） | 情報通信研究機構, 未来ICT研究センター, 第三研究棟中会議室 |
| 開催地（英） | KARC, NICT |
| テーマ（和） | 有機新材料, 一般 |
| テーマ（英） | Organic New Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2007-09-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | n型有機トランジスタにおける絶縁層/半導体層界面、及び半導体層/電極界面に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on interfaces between insulator and active layer, and between active layer and electrodes in n-type organic field effect transistor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機トランジスタ / organic field-effect transistor |
| キーワード(2)（和/英） | CsF / CsF |
| キーワード(3)（和/英） | OH基 / hydroxyl |
| キーワード(4)（和/英） | フェノール基 / phenol group |
| キーワード(5)（和/英） | PCBM / PCBM |
| キーワード(6)（和/英） | シロキサンポリマー / silsesquioxane |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 翔平 / Shohei Fukuda / フクダ ショウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梶井 博武 / Hirotake Kajii / カジイ ヒロタケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 緒方 寿幸 / Toshiyuki Ogata / オガタ トシユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京応化工業 (略称： 東京応化) Tokyo Ohka Kogyo (略称： Tokyo Ohka) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 元樹 / Motoki Takahashi / タカハシ モトキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京応化工業 (略称： 東京応化) Tokyo Ohka Kogyo (略称： Tokyo Ohka) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大森 裕 / Yutaka Ohmori / オオモリ ユタカ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-09-20 16:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2007-29 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.217 |
| ページ範囲 | pp.33-37 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-09-13 (OME) |
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