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講演抄録/キーワード
講演名 2007-09-28 13:00
(1120)ZnO膜/石英基板構造のSH型SAW伝搬特性
田中厚志同志社大)・柳谷隆彦東北大)・松川真美渡辺好章同志社大US2007-48
抄録 (和) これまでに我々は非結晶基板上に(11-20)面配向ZnO膜を作製する技術を確立してきた.この膜にIDTを形成すると,SH型SAWが励振される.したがって,この膜を用いればSH型SAWデバイスをSi基板やパイプなど曲面をもつ基体上に集積できる可能性がある.本報告では,ZnO (0º, 90º, )膜/石英基板 構造において電極配置,角度,膜厚H/を変化させ電気機械結合係数(K2)を解析した.その結果,IDT/ZnO (0º, 90º, 55º)膜/石英基板 構造(H/&#61548=0.21)において最も高い値(K2=3.4 %)が得られた.さらに,RFマグネトロンスパッタ法により,実際にこの構造のデバイスを作製し,SH型SAWの励振を確認した. 
(英) We have reported the fabrication of the (11-20) textured ZnO film without epitaxial technique. An IDT on the (11-20) textured ZnO film can excite SH-SAW. Therefore, the film on various substrates is an attractive option for fabricating the SH-SAW device on a silicon IC, and the device on a curved surface. In this report, the electromechanical coupling coefficients K2 in the ZnO (0º, 90º, ) films/silica glass substrate structures were theoretically estimated. The theoretical results showed that the IDT electrode/ZnO (0º, 90º, 55º) film/silica glass substrate structure had a relatively high K2 value of 3.4 % at H/&#61548=0.21. This structure was then fabricated using RF magnetron sputtering technique. The experimental results demonstrated that SH-SAW was clearly excited in the structure.
キーワード (和) (11-20)面配向ZnO膜 / SH型SAW / RFマグネトロンスパッタ法 / / / / /  
(英) (11-20) textured ZnO film / SH-SAW / RF magnetron sputtering / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 233, US2007-48, pp. 31-36, 2007年9月.
資料番号 US2007-48 
発行日 2007-09-21 (US) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード US2007-48

研究会情報
研究会 US  
開催期間 2007-09-27 - 2007-09-28 
開催地(和) 東北大学 
開催地(英) Tohoku Univ. 
テーマ(和) 一般 
テーマ(英) General 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 US 
会議コード 2007-09-US 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) (1120)ZnO膜/石英基板構造のSH型SAW伝搬特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) SH-SAW propagation characteristics in (11-20) ZnO film/silica glass substrate structures 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) (11-20)面配向ZnO膜 / (11-20) textured ZnO film  
キーワード(2)(和/英) SH型SAW / SH-SAW  
キーワード(3)(和/英) RFマグネトロンスパッタ法 / RF magnetron sputtering  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 厚志 / Atsushi Tanaka / タナカ アツシ
第1著者 所属(和/英) 同志社大学 (略称: 同志社大)
Doshisha University (略称: Doshisha Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松川 真美 / Mami Matsukawa / マツカワ マミ
第3著者 所属(和/英) 同志社大学 (略称: 同志社大)
Doshisha University (略称: Doshisha Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 好章 / Yoshiaki Watanabe / ワタナベ ヨシアキ
第4著者 所属(和/英) 同志社大学 (略称: 同志社大)
Doshisha University (略称: Doshisha Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-09-28 13:00:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 US 
資料番号 US2007-48 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.233 
ページ範囲 pp.31-36 
ページ数
発行日 2007-09-21 (US) 


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