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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-04 15:15 先端ＤＲＡＭでのＳｉＯＮゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について ○村川惠美（東京エレクトロン/東北大）・竹内政志・本田 稔・石塚修一・中西敏雄・廣田良浩（東京エレクトロンAT）・菅原卓也・田中義嗣・赤坂泰志（東京エレクトロン）・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大）  SDM2007-175 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-175 |
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| 抄録 | （和） | プラズマ窒化によるＳｉＯＮゲート絶縁膜形成において、高分解ＲＢＳによって校正されたＡＲ－ＸＰＳを用いて絶縁膜中窒素濃度分布を高精度に計測し、窒素プロファイルとボロン拡散防止効果および素子特性との関係を調査した。この結果、ＲＬＳＡプラズマ窒化が先端ロジックだけでなくＤＲＡＭについても有効なＳｉＯＮ絶縁膜形成技術であることを示した。また、窒化後アニール処理では、表面近傍における窒素原子の外拡散と表面酸化の両方が進行することが明らかになった。 |
| （英） | Nitrogen profile variations were systematically studied for the DRAM plasma nitridation process, using AR-XPS, and their influences to the boron blocking and device performances including NBTI were investigated. The high pressure and high temperature condition of plasma nitridation is preferred for improving the NBTI and the tool productivity. Post nitridation anneal stabilizes the nitrogen profile, and improves the boron blocking performance. Both of re-oxidation and the out-diffusion of nitrogen atoms take place simultaneously near the surface during the queue time after the plasma nitridation. RLSA plasma nitridation is a successful SiON gate insulator formation technology in the manufacturing of DRAM as well as logic devices. | |
| キーワード | （和） | DRAM / ゲート絶縁膜 / SiON / 窒化 / プロファイル / XPS / RLSA / NBTI |
| （英） | DRAM / Gate / Insulator / SiON / Plasma / Nitridation / Profile / RLSA | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 245, SDM2007-175, pp. 11-14, 2007年10月. | |
| 資料番号 | SDM2007-175 | |
| 発行日 | 2007-09-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-175 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2007-175 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-10-04 - 2007-10-05 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and Novel Process Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-10-SDM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 先端ＤＲＡＭでのＳｉＯＮゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nitrogen Profile Study for SiON Gate Dielectrics of Advanced DRAM |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート絶縁膜 / Gate |
| キーワード(3)（和/英） | SiON / Insulator |
| キーワード(4)（和/英） | 窒化 / SiON |
| キーワード(5)（和/英） | プロファイル / Plasma |
| キーワード(6)（和/英） | XPS / Nitridation |
| キーワード(7)（和/英） | RLSA / Profile |
| キーワード(8)（和/英） | NBTI / RLSA |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村川 惠美 / Shigemi Murakawa / ムラカワ シゲミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン/東北大学 (略称： 東京エレクトロン/東北大) Tokyo Elecron LTD./Tohoku University (略称： Tokyo Electron/Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 政志 / Masashi Takeuchi / タケウチ マサシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京エレクトロンAT (略称： 東京エレクトロンAT) Tokyo Elecron AT LTD. (略称： Tokyo Electron AT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 稔 / Minoru Honda / ホンダ ミノル |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京エレクトロンAT (略称： 東京エレクトロンAT) Tokyo Elecron AT LTD. (略称： Tokyo Electron AT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石塚 修一 / Shu-ichi Ishizuka / イシヅカ シュウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京エレクトロンAT (略称： 東京エレクトロンAT) Tokyo Elecron AT LTD. (略称： Tokyo Electron AT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中西 敏雄 / Toshio Nakanishi / ナカニシ トシオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京エレクトロンAT (略称： 東京エレクトロンAT) Tokyo Elecron AT LTD. (略称： Tokyo Electron AT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣田 良浩 / Yoshihiro Hirota / ヒロタ ヨシヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京エレクトロンAT (略称： 東京エレクトロンAT) Tokyo Elecron AT LTD. (略称： Tokyo Electron AT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菅原 卓也 / Takuya Sugawara / スガワラ タクヤ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン (略称： 東京エレクトロン) Tokyo Electron AT LTD. (略称： Tokyo Electron AT) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 義嗣 / Yoshitsugu Tanaka / タナカ ヨシツグ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン (略称： 東京エレクトロン) Tokyo Electron AT LTD. (略称： Tokyo Electron AT) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤坂 泰志 / Yasushi Akasaka / アカサカ ヤスシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン (略称： 東京エレクトロン) Tokyo Electron AT LTD. (略称： Tokyo Electron AT) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
| 第10著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ |
| 第11著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第12著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-04 15:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-175 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.245 |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-09-27 (SDM) |
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