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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-04 16:30 ECRプラズマプロセスによるHfO2系絶縁膜の極薄膜化の検討 ○仲野雄介・佐藤雅樹・大見俊一郎（東工大）  SDM2007-178 |
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| 抄録 | （和） | HfN膜のECR-Ar/O$_{2}$プラズマ酸化により形成したHfO$_{x}$N$_{y}$薄膜の極薄膜化に関する検討を行った。膜厚1 nmのHfN膜に対して700$^{o}$C/5 minの真空アニール後、さらに900$^{o}$C/1 minのrapid thermal annealing (RTA)を行いHfON薄膜を形成した。RTAによるアニール後、冷却窒素ガス流量を従来の0.8 l/minから100 l/minに増大させることで降温時間の短縮を行った。作製したAl/HfO$_{x}$N$_{y}$/p-Si(100)ダイオードのC-V特性を評価した結果、冷却窒素ガス流量を増加することによりヒステリシスが改善され、さらに、equivalent oxide thickness (EOT)を1.26 nm (N$_{2}$ flow rate: 0.8 l/min)から0.96 nm (N$_{2}$ flow rate: 100 l/min)に薄膜化できることが分かった。 |
| （英） | Post deposition annealing (PDA) process such as rapid cooling process was investigated to improve electrical characteristics of HfO$_{x}$N$_{y}$ films formed by ECR Ar/O$_{2}$ plasma oxidation of ultra-thin HfN films. After 1 nm-thick HfN film deposition, high vacuum annealing (HVA, 700$^{o}$C/5 min) and PDA (900$^{o}$C/1 min) were carried out. In this research, a cooling rate after the PDA was shortened by increasing the N$_{2}$ cooling gas flow rate from 0.8 l/min to 100 l/min. A hysteresis in C-V curve was reduced and equivalent oxide thickness (EOT) was decreased from 1.26 nm (N$_{2}$ flow rate: 0.8 l/min) to 0.96 nm (N$_{2}$ flow rate: 100 l/min). | |
| キーワード | （和） | HfO$_{x}$N$_{y}$ / 電子サイクロトロン共鳴 (ECR) / プラズマ酸化 / 高誘電率ゲート絶縁膜 / / / / |
| （英） | HfO$_{x}$N$_{y}$ / Electron Cyclotron Resonance (ECR) / Plasma Oxidation / high-k gate insulator / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 245, SDM2007-178, pp. 19-22, 2007年10月. | |
| 資料番号 | SDM2007-178 | |
| 発行日 | 2007-09-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-178 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-10-04 - 2007-10-05 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and Novel Process Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ECRプラズマプロセスによるHfO2系絶縁膜の極薄膜化の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultrathin HfOxNy gate insulator formations utilizing ECR plasma process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | HfO$_{x}$N$_{y}$ / HfO$_{x}$N$_{y}$ |
| キーワード(2)（和/英） | 電子サイクロトロン共鳴 (ECR) / Electron Cyclotron Resonance (ECR) |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマ酸化 / Plasma Oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | 高誘電率ゲート絶縁膜 / high-k gate insulator |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 仲野 雄介 / Yusuke Nakano / ナカノ ユウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 雅樹 / Masaki Satoh / サトウ マサキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-04 16:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-178 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.245 |
| ページ範囲 | pp.19-22 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-09-27 (SDM) |
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