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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-05 15:25 LSAとSpike-RTAの組合せによる極浅接合形成技術 ○遠藤誠一・丸山祥輝・川崎洋司・山下朋弘・尾田秀一・井上靖朗（ルネサステクノロジ）  SDM2007-191 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では、複数のspike-RTAとLSAの組み合わせに対するBF2 source/drain-extention(SDE)のXj-Rsトレードオフを調べた。その結果、不純物の注入直後にLSAで高活性化を行い、続くspike-RTAで高活性化を保ったまま熱拡散をさせる手法（LSA-firstプロセス）が、十分に低い抵抗を持ったSDEの形成と、ゲート-SDE間のオーバーラップ量コントロールの両者に対して有効であることを示した。また、この手法を従来のCMOSプロセスに適用することにより、pMOSFETにおいて駆動能力に5%の改善効果が得られた。 |
| （英） | In this work, Xj-Rs tradeoffs of BF2-SDE are investigated for several combinations of spike-RTA and LSA, and it is demonstrated that LSA-first process is effective for the control of the gate-SDE overlap with low SDE resistance because dopant impurities are highly activated first by LSA and are diffused by following spike-RTA keeping high-activation. In the case of applying LSA-first process to conventional CMOS process, the drive current of pMOSFET shows 5% improvement. | |
| キーワード | （和） | 極浅接合 / spike-RTA / LSA / ボロン / シート抵抗 / SIMS / / |
| （英） | ultra shallow junction / spike-RTA / LSA / boron / sheet resistance / SIMS / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 245, SDM2007-191, pp. 61-64, 2007年10月. | |
| 資料番号 | SDM2007-191 | |
| 発行日 | 2007-09-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-191 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-10-04 - 2007-10-05 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and Novel Process Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | LSAとSpike-RTAの組合せによる極浅接合形成技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Shallow Junction Formation Using Combination of LSA and Spike-RTA |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極浅接合 / ultra shallow junction |
| キーワード(2)（和/英） | spike-RTA / spike-RTA |
| キーワード(3)（和/英） | LSA / LSA |
| キーワード(4)（和/英） | ボロン / boron |
| キーワード(5)（和/英） | シート抵抗 / sheet resistance |
| キーワード(6)（和/英） | SIMS / SIMS |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 誠一 / Seiichi Endo / エンドウ セイイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | （株）ルネサステクノロジクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸山 祥輝 / Yoshiki Maruyama / マルヤマ ヨシキ |
| 第2著者 所属（和/英） | （株）ルネサステクノロジクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川崎 洋司 / Yoji Kawasaki / カワサキ ヨウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | （株）ルネサステクノロジクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 朋弘 / Tomohiro Yamashita / ヤマシタ トモヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | （株）ルネサステクノロジクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾田 秀一 / Hidekazu Oda / オダ ヒデカズ |
| 第5著者 所属（和/英） | （株）ルネサステクノロジクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 靖朗 / Yasuo Inoue / イノウエ ヤスオ |
| 第6著者 所属（和/英） | （株）ルネサステクノロジクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-05 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-191 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.245 |
| ページ範囲 | pp.61-64 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-09-27 (SDM) |
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