| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2007-10-05 14:25
Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御 ○大見俊一郎・高 峻・仲野雄介(東工大) SDM2007-189 |
| 抄録 |
(和) |
Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御に関する検討を行った。Pt/Hf/n-Si(100)積層構造を形成後に、窒素中700oCのアニールを行い、Hf混晶化PtSiを形成した場合、n-Siに対して、障壁高さを0.1 eV低減可能であることが分かった。さらに、シリサイドゲートへの応用を目的として、SiO2上にHf混晶化PtSiを形成し、MOSダイオードのC-V特性を評価することにより仕事関数制御に関する検討を行った。 |
| (英) |
Work function modulation of PtSi by alloying with Hf was investigated. When a silicidation of Pt/Hf/n-Si(100) was carried out at 700oC in N2 ambient, 0.1 eV reduction of barrier height for electron was observed. For the application to silicide gate, a formation of PtSi alloying with Hf on SiO2/p-Si(100) was also investigated. |
| キーワード |
(和) |
モノシリサイド / 混晶 / 仕事関数 / シート抵抗 / フラットバンド電圧 / / / |
| (英) |
PtSi / monosilicide / alloy / work function / sheet resistance / flat-band voltage / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 245, SDM2007-189, pp. 53-56, 2007年10月. |
| 資料番号 |
SDM2007-189 |
| 発行日 |
2007-09-27 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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