| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-05 10:55 低誘電率アモルファスハイドロカーボン（aCHx）膜の銅配線バリアー特性の検討 ○石川 拓（東京エレクトロン技研/東北大）・野沢俊久・松岡孝明（東京エレクトロン技研）・寺本章伸・平山昌樹・伊藤隆司・大見忠弘（東北大）  SDM2007-183 |
|
| 抄録 | （和） | 近年、半導体デバイスの高集積化が進み、デバイスの高速動作の観点から配線のRC遅延を減少させるために低誘電率層間絶縁膜とCu配線構造が用いられている。さらなるデバイスの高速化にあたり、配線間容量の低減のためultra low－k材料が層間絶縁に用いられているが、Cu拡散バリアー層として用いられているP-SiCやSiCNは比誘電率大きく、ultra low-k材料によるメリットを相殺し、実効比誘電率keffの低下を妨げている。ここで我々は高密度低電子温度を特徴とするラジアルスロットルアンテナ：RLSAを用いたプラズマ源により、アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜を開発、低誘電率Cuバリアー膜として提案し、その基礎特性とCuバリアー性を評価したので報告する。 |
| （英） | In recent ULSI, Cu wiring and low-k dielectrics are used to reduce RC delay in interconnect. In order to increase operating speed, the reduction of capacitance for interlayer dielectric using ultra low-k materials has been required. Even though ultra low-k materials have been applied, relatively high k-value materials such as SiC or SiCN have to be used for Cu diffusion barrier. As a result, it is difficult to reduce the effective k-value (keff) of dielectrics. For this problem, we propose the solution by developing of the new amorphous hydrocarbon film (aCHx) as a new Cu barrier dielectric which deposited using the microwave-excited plasma equipment incorporating the showerhead structure. Then we present basic property of aCHx film and also show its Cu diffusion barrier capability in this paper. | |
| キーワード | （和） | 低誘電率膜 / 銅 / バリアー層 / 実効比誘電率 / / / / |
| （英） | low-k / Cu / barrier layer / keff / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 245, SDM2007-183, pp. 31-34, 2007年10月. | |
| 資料番号 | SDM2007-183 | |
| 発行日 | 2007-09-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-183 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-10-04 - 2007-10-05 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and Novel Process Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低誘電率アモルファスハイドロカーボン（aCHx）膜の銅配線バリアー特性の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Evaluation of New Amorphous Hydrocarbon Film aCHx, for Low-k Copper Barrier Film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低誘電率膜 / low-k |
| キーワード(2)（和/英） | 銅 / Cu |
| キーワード(3)（和/英） | バリアー層 / barrier layer |
| キーワード(4)（和/英） | 実効比誘電率 / keff |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 拓 / Hiraku Ishikawa / イシカワ ヒラク |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン技術研究所株式会社/東北大学 (略称： 東京エレクトロン技研/東北大) Tokyo Electron Technology Development Institute, INC/Tohoku University (略称： Tokyo Electron/Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野沢 俊久 / Toshihisa Nozawa / ノザワ トシヒサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン技術研究所株式会社 (略称： 東京エレクトロン技研) Tokyo Electron Technology Development Institute, INC (略称： Tokyo Electron Technology Development Institute) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松岡 孝明 / Takaaki Matsuoka / マツオカ タカアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン技術研究所株式会社 (略称： 東京エレクトロン技研) Tokyo Electron Technology Development Institute, INC (略称： Tokyo Electron Technology Development Institute) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 昌樹 / Masaki Hirayama / ヒラヤマ マサキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 隆司 / Takashi Ito / イトウ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-05 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-183 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.245 |
| ページ範囲 | pp.31-34 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-09-27 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]