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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-11 17:35 絶縁膜/n-GaN構造の光応答とセンサ応用 ○水江千帆子・松山哲也・小谷淳二・ミツェーク マルチン・橋詰 保（北大）  ED2007-164 CPM2007-90 LQE2007-65 |
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| 抄録 | （和） | Metal-Insulator-Semiconductor(MIS)構造を用いた紫外光センサ構造を目的として、絶縁膜にAlOx膜を用いてGaN MIS構造を作製し、その容量－電圧特性(C-V)と紫外光応答特性(光支援C-t)を評価した。AlOx膜は、ヂエチルアルミニウムエトキサイド溶液をECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマにより分解し、溶液が本来含むAl-O結合を堆積する方法により成膜した。作製したAlOx/n-GaN MIS構造の、C-V特性の温度依存性は弱く、AlOx/GaN界面に存在する界面準位は比較的低密度であることが示唆された。また、光支援C-t測定を行い紫外光照射に対する容量値の変化を測定した結果、空乏条件でのMIS構造の紫外光応答は比較的高速で、かつ照射下のピーク容量値の温度依存性は非常に弱く、MIS構造の特徴である熱安定性が示された。 |
| （英） | For UV-detector application, n-GaN Metal-Insulator-Semiconductor(MIS) structure was fabricated using AlOx, layer which was deposited on n-GaN assisted by Electron Cyclotron Resonance(ECR)-plasma. Diethyl aluminum ethoxide(DEA-E) was used as a source material for AlOx deposition. In the AlOx/GaN MIS structure, the experimental C-V curve was close to the calculated one, and the C-V characteristics were almost independent of temperature. These results indicated a relatively low density of states at the AlOx/n-GaN interface. The capacitance at the depletion region showed a relatively fast response to an UV illumination. We also found that the peak value of capacitance under illumination showed less temperature dependence, indicating the operation stability of the AlOx/n-GaN structure. | |
| キーワード | （和） | GaN / Al2O3 / MIS / C-V / 高温 / 紫外光応答 / 紫外光センサ / 火炎センサ |
| （英） | GaN / Al2O3 / MIS / C-V / high temperature / UV-response / UV-detector / Flame detector | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 251, ED2007-164, pp. 43-46, 2007年10月. | |
| 資料番号 | ED2007-164 | |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-164 CPM2007-90 LQE2007-65 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED LQE |
| 開催期間 | 2007-10-11 - 2007-10-12 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | Fukui Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-10-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 絶縁膜/n-GaN構造の光応答とセンサ応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | UV-response characteristics of insulator/n-GaN MIS structures for sensor application |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(3)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(4)（和/英） | C-V / C-V |
| キーワード(5)（和/英） | 高温 / high temperature |
| キーワード(6)（和/英） | 紫外光応答 / UV-response |
| キーワード(7)（和/英） | 紫外光センサ / UV-detector |
| キーワード(8)（和/英） | 火炎センサ / Flame detector |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水江 千帆子 / Chihoko Mizue / ミズエ チホコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松山 哲也 / Tetsuya Matsuyama / マツヤマ テツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小谷 淳二 / Junji Kotani / コタニ ジュンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | ミツェーク マルチン / Marcin Miczek / ミツェーク マルチン |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシズメ タモツ |
| 第5著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-11 17:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-164, CPM2007-90, LQE2007-65 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) |
| ページ範囲 | pp.43-46 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) |
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