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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-11 17:10 AlGaN多重量子井戸型半導体レーザの深紫外発振と光学異方特性 ○川西英雄・新倉栄一郎（工学院大）  ED2007-163 CPM2007-89 LQE2007-64 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN窒化物半導体は、紫外から深紫外域で発光する光デバイス実現に適合するワイドギャップ半導体である。このAlGaN半導体は、その価電子帯のバンド構造に由来して放射光が光学異方性を示し、光デバイスの動作特性に影響を与える。ここでは、これまで実現した深紫外域までのレーザ発振特性及び、我々が明らかにした実験結果をまとめ、どのような動作が制限を受けるのか、またその解決法などを議論してみたい。 |
| （英） | AlGaN wide-gap semiconductor is promising for UV to Deep-UV laser and light emitting diodes. The AlGaN has optical anisotropic properties, such as anisotropic polarization and anisotropic surface and edge emission, which originate in valence-band structure. This propertie affects to lasing mode, optical polarization of emitted light, and apparent quantum efficiency. In this report, we summarize our recent experimental results and our conclusions. | |
| キーワード | （和） | 深紫外半導体レーザ / 光学異方性 / 結晶場スプリットオフ価電子帯 / AlGaN,量子井戸構造 / / / / |
| （英） | Deep-UV semiconductor laser / Optical anisotropic property / Crystal-field sprit-off hole band / AlGaN quantum well / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 253, LQE2007-64, pp. 39-42, 2007年10月. | |
| 資料番号 | LQE2007-64 | |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-163 CPM2007-89 LQE2007-64 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED LQE |
| 開催期間 | 2007-10-11 - 2007-10-12 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | Fukui Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2007-10-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN多重量子井戸型半導体レーザの深紫外発振と光学異方特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deep UV Lasing of AlGaN Multiple Quantum Well Lasers and Its Anisotropc Properties of Laser and Spontaneous Edge and Surface Emissions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 深紫外半導体レーザ / Deep-UV semiconductor laser |
| キーワード(2)（和/英） | 光学異方性 / Optical anisotropic property |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶場スプリットオフ価電子帯 / Crystal-field sprit-off hole band |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaN,量子井戸構造 / AlGaN quantum well |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川西 英雄 / Hideo Kawanishi / カワニシ ヒデオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 工学院大学 (略称： 工学院大) Kohgakuin University (略称： Kohgakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新倉 栄一郎 / Eiichiro Niikura / ニイクラ エイイチロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 工学院大学 (略称： 工学院大) Kohgakuin University (略称： Kohgakuin Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-11 17:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2007-163, CPM2007-89, LQE2007-64 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) |
| ページ範囲 | pp.39-42 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) |
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