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講演抄録/キーワード
講演名 2007-10-11 14:55
高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED
福島康之高瀬裕志薄田 学折田賢児上田哲三田中 毅松下電器ED2007-159 CPM2007-85 LQE2007-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-159 CPM2007-85 LQE2007-60
抄録 (和) 紫外発光ダイオード(LED)は光触媒や白色LEDの励起光源等への応用が期待されている。今回紫外LEDの低コスト化を実現できるSi基板上への高輝度紫外LEDの動作を確認した結果について報告する。従来のAlGaN三元活性層ではSi基板上に生ずる結晶欠陥が非発光再結合中心として働くため高輝度化が困難であったが、活性層にIn添加したInAlGaN四元活性層を用いることで局在励起子を利用した高輝度発光を実現した。得られたInAlGaN量子井戸活性層は350nm前後で発光し、内部量子効率は15%とこれまでにSiC基板上で得られた値と遜色ない値が得られた。 
(英) Ultraviolet Light Emitting Diodes (UV-LEDs) are promising for various applications such as photocatalyst or excitation source for white LEDs. In this paper, we report on high-brightness UV-LEDs on Si substrate aiming at the low cost fabrication. InAlGaN quaternary alloy with high In content is used in the active layer in which localized excitons screen the effect of the non-radiative recombination center caused by the dislocations. The InAlGaN multi-quantum-well active layers exhibit very high internal quantum efficiency of 15% at around 350nm which is as comparable high as that on SiC for the UV-emission.
キーワード (和) 紫外発光ダイオード / シリコン基板 / 窒化物半導体 / InAlGaN四元混晶 / / / /  
(英) Ultraviolet Light Emitting Diodes / Si substrate / III-V Nitride / InAlGaN quaternary alloy / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 107, no. 251, ED2007-159, pp. 19-23, 2007年10月.
資料番号 ED2007-159 
発行日 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2007-159 CPM2007-85 LQE2007-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2007-159 CPM2007-85 LQE2007-60

研究会情報
研究会 CPM ED LQE  
開催期間 2007-10-11 - 2007-10-12 
開催地(和) 福井大学 
開催地(英) Fukui Univ. 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 
テーマ(英) Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2007-10-CPM-ED-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High efficiency Ultraviolet LEDs on Si Using InAlGaN Multi-Quantum-Wells with High Indium Contents 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 紫外発光ダイオード / Ultraviolet Light Emitting Diodes  
キーワード(2)(和/英) シリコン基板 / Si substrate  
キーワード(3)(和/英) 窒化物半導体 / III-V Nitride  
キーワード(4)(和/英) InAlGaN四元混晶 / InAlGaN quaternary alloy  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 福島 康之 / Yasuyuki Fukushima / フクシマ ヤスユキ
第1著者 所属(和/英) 松下電器産業(株) (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: M. E. I. Co., Ltd.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高瀬 裕志 / Yuji Takase / タカセ ユウジ
第2著者 所属(和/英) 松下電器産業(株) (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: M. E. I. Co., Ltd.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 薄田 学 / Manabu Usuda / ウスダ マナブ
第3著者 所属(和/英) 松下電器産業(株) (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: M. E. I. Co., Ltd.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 折田 賢児 / Kenji Orita / オリタ ケンジ
第4著者 所属(和/英) 松下電器産業(株) (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: M. E. I. Co., Ltd.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / ウエダ テツゾウ
第5著者 所属(和/英) 松下電器産業(株) (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: M. E. I. Co., Ltd.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka / タナカ ツヨシ
第6著者 所属(和/英) 松下電器産業(株) (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: M. E. I. Co., Ltd.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2007-10-11 14:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2007-159, CPM2007-85, LQE2007-60 
巻番号(vol) vol.107 
号番号(no) no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) 
ページ範囲 pp.19-23 
ページ数
発行日 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) 


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