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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-12 09:50 ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減 ○松田慶太・川崎 健・中田 健・五十嵐武司・八重樫誠司（ユーディナデバイス）  ED2007-167 CPM2007-93 LQE2007-68 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN HEMTはキャリア密度・移動度が大きく絶縁破壊耐圧が高いという優れた特徴をもつため、低オン抵抗・高耐圧特性を実現する次世代パワースイッチングデバイスへの応用が期待されている。しかしながら、現在広く用いられているNi/Auのショットキ電極はゲートリーク電流が大きいという問題がある。そのため、信頼性の低下や消費電力の増大が懸念される。今回、我々はショットキ接合界面にITOを用いることでリーク電流を大幅にし、温度依存性を測定してそのメカニズムを考察した。次にITO/Ni/Au電極を用いたHEMTを作製してNi/Auとの比較を行なった。 |
| （英） | AlGaN/GaN HEMTs are attractive devices for high power switching applications because of their high electron mobility and high breakdown characteristics. However, conventional Ni/Au Schottky electrode has high reverse leakage current[1], which deteriorates reliability and increases power dissipation. Now we report that the reduction of Schottky leakage current and low leakage current HEMT characteristics were achieved by using indium-tin-oxide (ITO) electrode instead of Ni/Au electrode. | |
| キーワード | （和） | ITO電極 / 低リーク電流 / ショットキ特性 / 温度依存性 / HEMT特性 / ゲートリーク電流 / / |
| （英） | ITO electrode / lower leakage current / Schottky characteristics / temperature dependence / HEMT characteristics / gate leakage current / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 251, ED2007-167, pp. 57-61, 2007年10月. | |
| 資料番号 | ED2007-167 | |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-167 CPM2007-93 LQE2007-68 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED LQE |
| 開催期間 | 2007-10-11 - 2007-10-12 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | Fukui Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-10-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low leakage current ITO schottky electrode for AlGaN/GaN HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ITO電極 / ITO electrode |
| キーワード(2)（和/英） | 低リーク電流 / lower leakage current |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキ特性 / Schottky characteristics |
| キーワード(4)（和/英） | 温度依存性 / temperature dependence |
| キーワード(5)（和/英） | HEMT特性 / HEMT characteristics |
| キーワード(6)（和/英） | ゲートリーク電流 / gate leakage current |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松田 慶太 / Keita Matsuda / マツダ ケイタ |
| 第1著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 (略称： ユーディナデバイス) Eudyna Devices Inc. (略称： Eudyna Devices) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川崎 健 / Takeshi Kawasaki / カワサキ タケシ |
| 第2著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 (略称： ユーディナデバイス) Eudyna Devices Inc. (略称： Eudyna Devices) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 健 / Ken Nakata / ナカタ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 (略称： ユーディナデバイス) Eudyna Devices Inc. (略称： Eudyna Devices) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 五十嵐 武司 / Takeshi Igarashi / イガラシ タケシ |
| 第4著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 (略称： ユーディナデバイス) Eudyna Devices Inc. (略称： Eudyna Devices) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八重樫 誠司 / Seiji Yaegashi / ヤエガシ セイジ |
| 第5著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社 (略称： ユーディナデバイス) Eudyna Devices Inc. (略称： Eudyna Devices) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-12 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-167, CPM2007-93, LQE2007-68 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) |
| ページ範囲 | pp.57-61 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) |
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