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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-12 15:05 Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN 選択MOVPE成長 ○中島由樹・本田善央・山口雅史・澤木宣彦（名大）  ED2007-176 CPM2007-102 LQE2007-77 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-176 CPM2007-102 LQE2007-77 |
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| 抄録 | （和） | 選択MOVPE法により(111)Si基板上に作製された(0001)面と(1-101)面からなるGaN台形ストライプ構造上にInGaN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を試みた。InGaN混晶薄膜の膜厚は各々のファセット面上で一様でなく、顕著なリッジ成長が見られた。CLスペクトルから組成均一性を評価したところ、(0001)面上ではスペクトルの中央値（ピーク値）は面上で一様であったが、リッジ部でスペクトル半値幅が増加し組成揺らぎが増強されることが分かった。これらの結果は気相中あるいはファセット表面上での化学種の拡散現象だけでは説明できなかった。 |
| （英） | Hetero-epitaxial growth of an InGaN thin film was attempted with MOVPE on a GaN facet structure. The GaN trapezoidal structure was grown by selective MOVPE on a (111)Si substrate. The InGaN grown layer on the (0001)top facet shows strong ridge growth which is not explained by the diffusion of chemical species. The CL spectra on the facet were investigated. Remarkable broadening in the spectral peak was found out near the ridge on the (0001)facet which suggests the compositional fluctuation takes place in accordance with the ridge growth. | |
| キーワード | （和） | InGaN / MOVPE / 選択成長 / リッジ成長 / / / / |
| （英） | InGaN / MOVPE / Selective Area Growth / ridge growth / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 253, LQE2007-77, pp. 97-102, 2007年10月. | |
| 資料番号 | LQE2007-77 | |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-176 CPM2007-102 LQE2007-77 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-176 CPM2007-102 LQE2007-77 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED LQE |
| 開催期間 | 2007-10-11 - 2007-10-12 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | Fukui Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2007-10-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上でのGaNマイクロファセット上へのInGaN/GaN 選択MOVPE成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Selective MOVPE of InGaN/GaN on a micro-faceted GaN fabricated on an Si substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | 選択成長 / Selective Area Growth |
| キーワード(4)（和/英） | リッジ成長 / ridge growth |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 由樹 / Yoshiki Nakajima / ナカジマ ヨシキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 善央 / Yoshio Honda / ホンダ ヨシオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 雅史 / Masahito Yamaguchi / ヤマグチ マサヒト |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤木 宣彦 / Nobuhiko Sawaki / サワキ ノブヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-12 15:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2007-176, CPM2007-102, LQE2007-77 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) |
| ページ範囲 | pp.97-102 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) |
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