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| 講演名 | 2007-10-12 09:25 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ ○黒田正行・上田哲三・田中 毅（松下電器）  ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67 |
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| 抄録 | （和） | GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、低損失パワースイッチングデバイスへの応用として有望である。従来のc面((0001)面)に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(Heterojunction Field Effect Transistor : HFET)では、自発分極及びピエゾ分極による内部電界のためヘテロ接合に高密度のシートキャリアが生じ、パワースイッチングデバイスに必要とされるノーマリオフ型の作製が困難であった。無極性面であるa面((11-20)面)を成長面としてAlGaN/GaN HFETを作製すれば、分極電荷がヘテロ界面に生じないためノーマリオフ型が容易に実現可能である。今回我々はr面サファイア上に厚膜AlNバッファ層を形成してa面GaNの結晶性を向上させ、リセス構造を有するMIS型トランジスタとすることでVth=+1.3Vの完全ノーマリオフ動作と112 mA/mmと大きなドレイン電流を実現したので報告する。 |
| （英） | GaN-based compound semiconductors are attractive for low-loss power switching devices owing to the high breakdown field and the high saturation electron velocity. Conventional AlGaN/GaN HFETs (Heterojunction Field Effect Transistors) have been fabricated on (0001) c-plane across which the spontaneous and piezoelectric polarization fields produce the extraordinary high sheet carrier concentrations. These sheet carriers made it difficult to achieve normally-off operation, which is strongly desired for the safety operation of power switching devices. Use of non-polar (11-20) a-plane is expected to easily achieve the normally-off operation, since the plane is free from the above-mentioned polarization induced charges. In this paper, we report on normally-off operation of non-polar a-plane AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor (MIS)-HFETs with the threshold voltage of +1.3 V. High drain current of 112 mA/mm is also achieved by the recessed MIS-gate structure with the improved crystal quality on thick AlN buffer layers. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN HFET / 無極性 / ノーマリオフ / / / / / |
| （英） | AlGaN/GaN HFET / Non-polar / Normally-off operation / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 251, ED2007-166, pp. 53-56, 2007年10月. | |
| 資料番号 | ED2007-166 | |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-166 CPM2007-92 LQE2007-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED LQE |
| 開催期間 | 2007-10-11 - 2007-10-12 |
| 開催地（和） | 福井大学 |
| 開催地（英） | Fukui Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-10-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Normally-off Operation of AlGaN/GaN MIS-HFET on Non-polar (11-20) plane |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HFET / AlGaN/GaN HFET |
| キーワード(2)（和/英） | 無極性 / Non-polar |
| キーワード(3)（和/英） | ノーマリオフ / Normally-off operation |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 正行 / Masayuki Kuroda / クロダ マサユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： MEI) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / ウエダ テツゾウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： MEI) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka / タナカ ツヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： MEI) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-12 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-166, CPM2007-92, LQE2007-67 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.251(ED), no.252(CPM), no.253(LQE) |
| ページ範囲 | pp.53-56 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-10-04 (ED, CPM, LQE) |
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