| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2007-10-26 14:15
アルカンチオールSAM上における金属内包フラーレンEr@C82のSTM/STSの吸着場所依存性 ○河野馨士朗・小林昇洋・岩本全央・安武裕輔(東工大)・大窪清吾・岡崎俊也(産総研)・真島 豊(東工大) OME2007-44 |
| 抄録 |
(和) |
金属内包フラーレンを用いた単一分子配向スイッチの液体窒素温度動作に向けて、極低温超高真空走査型トンネル顕微鏡(LT-UHV-STM)を用いて、アルカンチオール自己組織化単分子膜(SAM)上の金属内包フラーレンEr@C82におけるSTM/STS(走査型トンネル分光)測定の吸着場所依存性の検討を行った。dI/dV波形から、オクタンチオールSAMのStep edgeおよびTerras上では同じ位置にLUMOおよびHOMOのピークが観察され、同じギャップ幅になったのに対し、Etch pit上ではギャップ幅は広く、Boundary上では狭く観察された。エネルギーダイアグラムからStep edgeおよびTerras上におけるEr@C82のHOMO-LUMOギャップは0.5 eVと見積もられ、フェルミ準位はHOMOから0.1 eV高い位置にあることがわかった。 |
| (英) |
We report adsorption place dependence of endohedral metallofullerene Er@C82 on alkanethiol self-assembled monolayer (SAM) by scanning tunneling microscopy (STM) and scanning tunneling spectroscopy (STS) to realize liquid N2 temperature operation of single molecular orientation switch of the endohedral metallofullerene. From dI/dV curves, same peak position and gap width were observed on Er@C82 on step edge and terras of octanethiol SAM, but on etch pit or boundary, gap width was wider and narrower, respectively. On the basis of the energy diagram, we have evaluated the HOMO-LUMO gap of Er@C82 as 0.5 eV on step edge and terras, and the Fermi level found to be located on 0.1 eV above the HOMO level. |
| キーワード |
(和) |
金属内包フラーレン / アルカンチオールSAM / HOMO-LUMOギャップ / 分子ナノエレクトロニクス / / / / |
| (英) |
Endohedral Metallofullerene / Alkanethiol SAM / HOMO-LUMO gap / Molecular Nanoelectronics / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 292, OME2007-44, pp. 7-12, 2007年10月. |
| 資料番号 |
OME2007-44 |
| 発行日 |
2007-10-19 (OME) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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