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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-30 15:25 Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析 ○竹田 裕（NEC）・池澤健夫・河田道人（NEC情報システムズ）・羽根正巳（NEC）  VLD2007-58 SDM2007-202 |
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| 抄録 | （和） | 高移動度デバイスとして期待の高いGe デバイスの輸送特性の解析を行った．フルバンド・モンテカルロ・デバイスシミュレーションにより，短チャネルバルク型歪みGe-pMOSFET の正孔輸送特性の解析を行い，ドレイン電流の応力依存性，チャネル方向ならびに面方位の依存性について，そのメカニズムの解明を試みた．本研究では，単なる移動度に基づく議論を超えた，バルク型MOSFET の実デバイス構造上におけるキャリアのソース注入電流やチャネルでの後方散乱といった，キャリア輸送で重要な要素に基づいた詳細な議論を行う． |
| （英） | Self-consistent full-band Monte Carlo (with multi-subbands) device simulations were performed to clarify the mechanism of drain-current enhancements for uniaxially strained bulk Ge-pMOSFETs with different channel/surface orientations. Unlike any conventional mobility studies, our device simulation enables us to probe fundamental roles of source-injection and channel backscattering in the practical bulk-MOSFET device structures with optimized channel/surface selections. |
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| キーワード | （和） | 歪み / 応力 / Ge デバイス / TCAD / MOSFET / モンテカルロシミュレーション / フルバンド / 量子効果 |
| （英） | Strain / Stress / Ge-device / TCAD / Monte Carlo Simulation / Full-band / Quantization / MOSFET | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 297, SDM2007-202, pp. 37-41, 2007年10月. | |
| 資料番号 | SDM2007-202 | |
| 発行日 | 2007-10-23 (VLD, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2007-58 SDM2007-202 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM VLD |
| 開催期間 | 2007-10-30 - 2007-10-31 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-10-SDM-VLD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of strain-dependent hole transport characteristics in bulk Ge-pMOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 歪み / Strain |
| キーワード(2)（和/英） | 応力 / Stress |
| キーワード(3)（和/英） | Ge デバイス / Ge-device |
| キーワード(4)（和/英） | TCAD / TCAD |
| キーワード(5)（和/英） | MOSFET / Monte Carlo Simulation |
| キーワード(6)（和/英） | モンテカルロシミュレーション / Full-band |
| キーワード(7)（和/英） | フルバンド / Quantization |
| キーワード(8)（和/英） | 量子効果 / MOSFET |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹田 裕 / Hiroshi Takeda / タケダ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC (略称： NEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池澤 健夫 / Takeo Ikezawa / イケザワ タケオ |
| 第2著者 所属（和/英） | NEC情報システムズ (略称： NEC情報システムズ) NEC Informatec Systems (略称： NIS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河田 道人 / Michihito Kawada / カワダ ミチヒト |
| 第3著者 所属（和/英） | NEC情報システムズ (略称： NEC情報システムズ) NEC Informatec Systems (略称： NIS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 羽根 正巳 / Masami Hane / ハネ マサミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社 (略称： NEC) NEC (略称： NEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-30 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | VLD2007-58, SDM2007-202 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.295(VLD), no.297(SDM) |
| ページ範囲 | pp.37-41 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-10-23 (VLD, SDM) |
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