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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-10-30 11:15 極微細マルチゲートデバイスにおける面方位依存性の検討 ○三成英樹・西谷大祐・森 伸也（阪大）  VLD2007-53 SDM2007-197 |
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| 抄録 | （和） | 非平衡グリーン関数法と強結合近似法を用いることにより，原子論的手法に基づく量子輸送シミュレーションを結晶方位の異なる4種類の極薄ダブルゲートSOI MOSFETについて行った．シミュレーションを行ったデバイスは (i) $(100)$基板上の$\langle 100 \rangle$チャネルデバイス，(ii) $(100)$ 基板上の$\langle 110 \rangle$チャネルデバイス，(iii) $(110)$基板上の$\langle 100 \rangle$チャネルデバイス，(iv) $(110)$基板上の$\langle 110 \rangle$チャネルデバイスである．シミュレーションの結果，量子閉じ込めに起因する重い正孔と軽い正孔の混合により，結晶方位の違いがバリスティックなホール電流成分に非常に強く影響することがわかった． |
| （英） | Atomistic hole transport simulation based on a nonequilibrium Green's function method and tight-binding approximation has been performed for four types of ultra-thin double-gate silicon-on-insulator MOSFETs; (i) $\langle 100 \rangle$ channel device on $(100)$ substrate, (ii) $\langle 110 \rangle$ channel device on $(100)$ substrate, (iii) $\langle 100 \rangle$ channel device on $(110)$ substrate, and (iv) $\langle 110 \rangle$ channel device on $(110)$ substrate. Simulation results show that the difference in crystalline orientation of the devices greatly affects ballistic hole current due to a strong confinement-induced mixing of heavy- and light-hole states. | |
| キーワード | （和） | シリコン / MOSFET / ホール輸送 / 結晶方位 / 強結合近似法 / 非平衡グリーン関数法 / / |
| （英） | Silicon / MOSFET / Hole Transport / Crystalline Orientation / Tight-binding / NEGF / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 297, SDM2007-197, pp. 15-18, 2007年10月. | |
| 資料番号 | SDM2007-197 | |
| 発行日 | 2007-10-23 (VLD, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2007-53 SDM2007-197 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM VLD |
| 開催期間 | 2007-10-30 - 2007-10-31 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-10-SDM-VLD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極微細マルチゲートデバイスにおける面方位依存性の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystalline Orientation effects on device characteristics in ultra-small multi-gate devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | ホール輸送 / Hole Transport |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶方位 / Crystalline Orientation |
| キーワード(5)（和/英） | 強結合近似法 / Tight-binding |
| キーワード(6)（和/英） | 非平衡グリーン関数法 / NEGF |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三成 英樹 / Hideki Minari / ニシタニ ダイスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西谷 大祐 / Daisuke Nishitani / ミナリ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 伸也 / Nobuya Mori / モリ ノブヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-10-30 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | VLD2007-53, SDM2007-197 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.295(VLD), no.297(SDM) |
| ページ範囲 | pp.15-18 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-10-23 (VLD, SDM) |
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