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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-11-09 13:45 内部光電子放出法による高分子半導体/陰極界面の電位障壁の評価 ○山田晃史・伊東栄次・宮入圭一（信州大）  OME2007-51 エレソ技報アーカイブへのリンク：OME2007-51 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では有機EL素子にしばしば用いられるポリパラフェニレンビニレン誘導体(MEH-PPV)やポリフルオレン誘導体(PFO)と陰極界面の実効的な電位障壁を内部光電子放出法により測定した。また、今回新たにITO/TiO2/ポリイミド/高分子半導体/金属電極から成る3層構造を用いることで陽極からの正孔注入を抑制しつつ、陰極から光により注入された電子をスムーズに輸送することに成功した。その結果、従来の絶縁体/高分子半導体からなる2層構造よりも低電圧領域で電極に依存した光電流変化を観測できた。そこで3層構造を用いてMEH-PPV/陰極界面の電位障壁測定を行ったところAl、Cr、Au電極に対してそれぞれ1.1eV、1.4eV、1.55eVと見積もられ、仕事関数との比較により界面準位の寄与が示唆された。PFOについても電極に依存した電位障壁高さが見積もられた。 |
| （英） | We have investigated the electron injection barrier height at MEH-PPV or PFO and cathode interface by internal photoemission spectroscopy technique. We proposed the three layered structure consisting of ITO/TiO2/polymide/polymeric semiconductor/metal (cathode) in this study. The external voltage of the three layered device was successfully reduced to 1/3 – 1/5 compared with the double layered device consisting of ITO/ Al2O3/ polymeric semiconductor/ metal device. Here, TiO2 was used as hole blocking and electron transporting layer, whereas FPI was used as intermediate layer. We measured the electron barrier height at MEH-PPV/cathodes interface in ITO/TiO2(100nm)/FPI(50nm)/MEH-PPV(200nm)/metal(cathode) device. And they were estimated as 1.1eV, 1.4eV, and 1.55eV for Al, Cr, and Au, respectively. The influence of interfacial states was discussed from the relationship between the measured barrier height and the work function of metals. The electron barrier height at PFO /cathode interface was also discussed. | |
| キーワード | （和） | 内部光電子放出 / 電位障壁 / MEH-PPV / PFO / / / / |
| （英） | Internal photoemission / Electron barrier height / MEH-PPV / PFO / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 307, OME2007-51, pp. 17-22, 2007年11月. | |
| 資料番号 | OME2007-51 | |
| 発行日 | 2007-11-02 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2007-51 エレソ技報アーカイブへのリンク：OME2007-51 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2007-11-09 - 2007-11-09 |
| 開催地（和） | 新潟大学 |
| 開催地（英） | Niigata Univ. |
| テーマ（和） | 機能性有機薄膜・一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2007-11-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 内部光電子放出法による高分子半導体/陰極界面の電位障壁の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurement of electron barrier height at polymeric semiconductor/ cathode interface by internal photoemission spectroscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 内部光電子放出 / Internal photoemission |
| キーワード(2)（和/英） | 電位障壁 / Electron barrier height |
| キーワード(3)（和/英） | MEH-PPV / MEH-PPV |
| キーワード(4)（和/英） | PFO / PFO |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 晃史 / Koji Yamada / ヤマダ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊東 栄次 / Eiji Itoh / イトウ エイジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮入 圭一 / Keiichi Miyairi / ミヤイリ ケイイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-11-09 13:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2007-51 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.307 |
| ページ範囲 | pp.17-22 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-11-02 (OME) |
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