| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2007-11-09 12:55
CuPc薄膜FETへのV2O5薄膜の積層による効果 ○高橋俊明・北村翔平・皆川正寛・大平泰生・馬場 暁・新保一成・加藤景三・金子双男(新潟大) OME2007-49 |
| 抄録 |
(和) |
五酸化バナジウム(V2O5)は、有機電界発光素子において電荷発生層として機能し、電流効率を向上させることが知られている。本研究では、ゲート電圧印加時のV2O5層からのキャリア注入により有機層における電荷量と電流伝導を改善することを目指し、ホール伝導性の有機半導体材料である銅フタロシアニン(CuPc)とV2O5を積層した電界効果トランジスタを作製した。その結果、電流値ではCuPc単層に比べ2倍ほど増加がみられ、CuPcおよびV2O5の相互作用によるものと考えられた。 |
| (英) |
A large drain current was observed in the organic field-effect transistors (OFETs). The OFETs were prepared with hole-conductive copper phthalocyanine (CuPc) and vanadium oxide (V2O5). It was found that a drain current in the OFET with V2O5 layer was increased about twice one without V2O5 layer. And the effect was obtained in the both structure of top and bottom contact type device. It seemed that the increasing of a drain current was affected by the interaction between CuPc and V2O5 molecular, because no field-effect property was obderved in the V2O5 mono layer FET.The results of this study were very useful for the development of the OFET which could conduct a large drain current. |
| キーワード |
(和) |
有機電界効果トランジスタ / 銅フタロシアニン / 五酸化バナジウム / / / / / |
| (英) |
organic field-effect transistor / copper phthalocyanine / vanadium oxide / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 307, OME2007-49, pp. 7-10, 2007年11月. |
| 資料番号 |
OME2007-49 |
| 発行日 |
2007-11-02 (OME) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
OME2007-49 |