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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-11-09 13:20 ポリチオフェン有機薄膜トランジスタとその電気光学特性 ○永井裕士・伊東栄次・宮入圭一（信州大）  OME2007-50 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では絶縁層にポリイミドを用い作製したポリチオフェン(P3HT) FETについてCharge modulation spectroscopy：CMS法を用いて電気光学特性を評価しFET特性やMISダイオードのCV特性から検討した。ポリイミド(SE-812)を絶縁層としたP3HT FETの移動度は3.1×10-3 cm2/Vsの移動度となり、SE-812/ P3HT界面への正孔の蓄積電荷量増加の際にギャップ間準位に相当する 1.27, 1.77eV に新たな光吸収が発生する一方P3HT本来の光吸収の減少が見られた。フッ素含有ポリイミド(FPI) を絶縁層に用いた素子においては8.5×10-5cm2/Vsと移動度が低くなった。移動度が低い素子では1.27eVで見られた吸収が見られないなどCMS特性に大きな違いが見られた。長波長域の吸収の違いはキャリアの広がりやポーラロンの振る舞い、すなわちP3HT FETの移動度と関係がありCMS特性から界面の様子が推定できると考えられる。 |
| （英） | We investigated an electro-optical property of polymer-based field effect transistor (p-FET) by charge modulation spectroscopy (CMS) technique. It was compared with electrical characteristics such as FET and MIS diode properties. The field effect mobility of P3HT deposited on commercially supplied polyimide (SE-812), which is developed for inter-layer insulator, was 3.1×10-3 cm2/Vs, whereas the mobility of P3HT on fluorinated polyimide (FPI) was estimated as 8.5×10-5cm2/Vs. The signals of CMS curves were suppressed for large positive voltage (depletion), whereas two additional peaks were observed at 1.27 and 1.77eV observed in accumulation for the device fabricated on SE-812. On the other hand, the additional peak at 1.27eV disappeared in the device on FPI. These differences were ascribed to their difference in the behavior of polarons and carriers (holes) at polyimide/ P3HT interface. | |
| キーワード | （和） | ポリチオフェン / 電気光学特性 / CMS / OFET / / / / |
| （英） | polythiophene / electro-optics / CMS / OFET / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 307, OME2007-50, pp. 11-15, 2007年11月. | |
| 資料番号 | OME2007-50 | |
| 発行日 | 2007-11-02 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2007-50 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2007-11-09 - 2007-11-09 |
| 開催地（和） | 新潟大学 |
| 開催地（英） | Niigata Univ. |
| テーマ（和） | 機能性有機薄膜・一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2007-11-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ポリチオフェン有機薄膜トランジスタとその電気光学特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical and Electro-optical properties of poly (3-hexylthiophene) field effect transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ポリチオフェン / polythiophene |
| キーワード(2)（和/英） | 電気光学特性 / electro-optics |
| キーワード(3)（和/英） | CMS / CMS |
| キーワード(4)（和/英） | OFET / OFET |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永井 裕士 / Hiroshi Nagai / ナガイ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊東 栄次 / Eiji Itoh / イトウ エイジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮入 圭一 / Keiichi Miyairi / ミヤイリ ケイイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-11-09 13:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2007-50 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.307 |
| ページ範囲 | pp.11-15 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2007-11-02 (OME) |
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