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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-11-16 13:00 イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価 ○松之内恵子・小松直佳・木村千春・青木秀充・杉野 隆（阪大）  R2007-46 ED2007-179 SDM2007-214 |
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| 抄録 | （和） | ワイドバンドギャップ半導体を用いた高性能なハイパワーFETを実現するためには、バンドギャップが大きく、誘電率の高い絶縁膜が必要となる。特に、厳しい環境下で安定な動作をさせるためには、ゲート絶縁膜のリーク電流を抑制する必要があり、トランジスタの高性能化と両立する上では、高い誘電率のゲート絶縁膜を搭載することが望ましい。そこで、ゲート絶縁膜材料向けに、イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜をはじめて評価した。MIS構造におけるリーク電流とチャージシフトの抑制が可能であることを確認した。YAlO薄膜がSiCやダイヤモンドなどのワイドバンドギャップ半導体に応用することのできる良好な絶縁膜であることが期待される。 |
| （英） | To achieve high power FET using wide bandgap semiconductor, a gate insulator film with a wide bandgap and a high dielectric constant (high-K) is required. Especially, to realize a stable operation for wide bandgap semiconductor devices under the severe environment, suppression of the leakage current of the gate insulator is required. We attempted to study Yttriumaluminate (YAlO) as a gate insulator film for the first time. We succeeded in suppressing gate leakage current and charge shifts in the MIS structure. This result suggests that the YAlO film can be applied for wide bandgap semiconductor devices such as SiC and diamond. | |
| キーワード | （和） | ゲート絶縁膜 / 高誘電率 / High-K / ワイドバンドギャップ半導体 / イットリウム / Al2O3 / MIS構造 / |
| （英） | gate insulator / high dielectric constant / High-K / wide bandgap semiconductor / Yttrium / Al2O3 / MIS structure / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 319, ED2007-179, pp. 1-6, 2007年11月. | |
| 資料番号 | ED2007-179 | |
| 発行日 | 2007-11-09 (R, ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2007-46 ED2007-179 SDM2007-214 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM R ED |
| 開催期間 | 2007-11-16 - 2007-11-16 |
| 開催地（和） | 中央電気倶楽部 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-11-SDM-R-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Characterization of Yttriumaluminate(YAlO)Film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲート絶縁膜 / gate insulator |
| キーワード(2)（和/英） | 高誘電率 / high dielectric constant |
| キーワード(3)（和/英） | High-K / High-K |
| キーワード(4)（和/英） | ワイドバンドギャップ半導体 / wide bandgap semiconductor |
| キーワード(5)（和/英） | イットリウム / Yttrium |
| キーワード(6)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(7)（和/英） | MIS構造 / MIS structure |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松之内 恵子 / Keiko Matsunouchi / マツノウチ ケイコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小松 直佳 / Naoyoshi Komatsu / コマツ ナオヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 千春 / Chiharu Kimura / キムラ チハル |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青木 秀充 / Hidemitsu Aoki / アオキ ヒデミツ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉野 隆 / Takashi Sugino / スギノ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-11-16 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | R2007-46, ED2007-179, SDM2007-214 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.318(R), no.319(ED), no.320(SDM) |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-11-09 (R, ED, SDM) |
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