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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-11-16 14:15 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性 ○田村隆博・小谷淳二・大井幸多・橋詰 保（北大）  R2007-49 ED2007-182 SDM2007-217 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のチャネル中における電界分布の均一性向上を図るため、ゲート電極直下となる領域に周期的なトレンチを形成し、多重台形チャネル(MMC)構造を作製した。MMC HEMTでは、一般的なプレーナ型のHEMTと比べしきい値電圧が浅くなった。さらに、120 Kから500 Kの広い温度領域において、飽和ドレイン電流がほとんど温度依存性を示さないという驚異的な特性が得られた。2次元ポテンシャル計算により、メサ上面および側面からの電界が2DEGを包み込むように制御し、チャネル中のポテンシャルを効果的に制御していることがわかった。このような包囲ゲートによる効果や低いソース抵抗により、MMC HEMTは飽和ドレイン電流の温度依存性がほとんど見られない特徴的な振舞いを示したのではないかと推測される。 |
| （英） | We fabricated a multi-mesa-channel (MMC) structure by forming a periodic trench just under a gate electrode to improve the uniformity of effective electric field in the channel in an AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT). The MMC HEMT showed a shallower threshold voltage than that of a conventional planar device. In addition, a unique performance, i.e., a nearly temperature-independent saturation drain current, was observed in the MMC device in a wide temperature range from 120 K to 500 K. A 2-dimensional potential calculation indicates that the mesa-side gate effectively modulates the potential, resulting in a field surrounding 2-dimensional electron gas (2DEG). Such a surrounding-field effect and a relatively lower source access resistance may be related to a unique current behavior in the MMC HEMT. | |
| キーワード | （和） | GaN / AlGaN / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / 多重台形チャネル構造(MMC) / / / / |
| （英） | GaN / AlGaN / high electron mobility transistor(HEMT) / multi-mesa-channel (MMC) structure / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 319, ED2007-182, pp. 19-22, 2007年11月. | |
| 資料番号 | ED2007-182 | |
| 発行日 | 2007-11-09 (R, ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2007-49 ED2007-182 SDM2007-217 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM R ED |
| 開催期間 | 2007-11-16 - 2007-11-16 |
| 開催地（和） | 中央電気倶楽部 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-11-SDM-R-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Stability of Drain Current at High Temperatures in Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / high electron mobility transistor(HEMT) |
| キーワード(4)（和/英） | 多重台形チャネル構造(MMC) / multi-mesa-channel (MMC) structure |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田村 隆博 / Takahiro Tamura / タムラ タカヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小谷 淳二 / Junji Kotani / コタニ ジュンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大井 幸多 / Kota Ohi / オオイ コウタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-11-16 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | R2007-49, ED2007-182, SDM2007-217 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.318(R), no.319(ED), no.320(SDM) |
| ページ範囲 | pp.19-22 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-11-09 (R, ED, SDM) |
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