| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-11-16 14:55
AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価
○松下景一・寺本信一郎・桜井博幸・沈 正七・川崎久夫・高木一考・高田賢治・津田邦男（東芝）  R2007-50 ED2007-183 SDM2007-218 |
| 抄録 |
（和） |
AlGaN/GaN HEMTは次世代の高周波パワーデバイスとして期待されている。AlGaN/GaN HEMTは高温、高電圧で動作するため、素子の信頼性は非常に重要な問題である。本報告では、AlGaN/GaN HEMTデバイスについて、DCストレスによる信頼性の評価を行った。電流劣化は、電圧、チャネル温度、ドレイン電流に依存性があることを確認した。素子分離方法によって素子の信頼性に差があることを確認し、その劣化原因について検討した。 |
| （英） |
AlGaN/GaN HEMTs devices are studied intensely because of its ability of operation at higher voltage with higher power density. As the study progress, it is realized that the reliability of the fabricated device is a quite important issue. From the reliability study of AlGaN/GaN HEMTs, it is found that the current degradation has relationships with the isolation structure. In this paper, the differences of current degradations between two isolation methods are studied and some interpretations concerning the source of these degradations are discussed. |
| キーワード |
（和） |
窒化ガリウム / 信頼性 / HEMT / / / / / |
| （英） |
GaN / reliability / HEMT / AlGaN / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 319, ED2007-183, pp. 23-26, 2007年11月. |
| 資料番号 |
ED2007-183 |
| 発行日 |
2007-11-09 (R, ED, SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に
ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
R2007-50 ED2007-183 SDM2007-218 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM R ED |
| 開催期間 |
2007-11-16 - 2007-11-16 |
| 開催地（和） |
中央電気倶楽部 |
| 開催地（英） |
|
| テーマ（和） |
半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性 |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2007-11-SDM-R-ED |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Reliability Study of AlGaN/GaN HEMTs Device |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
窒化ガリウム / GaN |
| キーワード(2)（和/英） |
信頼性 / reliability |
| キーワード(3)（和/英） |
HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） |
/ AlGaN |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
松下 景一 / Keiichi Matsushita / マツシタ ケイイチ |
| 第1著者 所属（和/英） |
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称： 東芝)
Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
寺本 信一郎 / Shinichiro Teramoto / テラモト シンイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） |
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称： 東芝)
Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
桜井 博幸 / Hiroyuki Sakurai / サクライ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） |
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称： 東芝)
Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
沈 正七 / Jeoungchill Shim / シム ジョンチル |
| 第4著者 所属（和/英） |
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称： 東芝)
Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
川崎 久夫 / Hisao Kawasaki / カワサキ ヒサオ |
| 第5著者 所属（和/英） |
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称： 東芝)
Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
高木 一考 / Kazutaka Takagi / タカギ カズタカ |
| 第6著者 所属（和/英） |
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 (略称： 東芝)
Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
高田 賢治 / Yoshiharu Takada / タカダ ヨシハル |
| 第7著者 所属（和/英） |
東芝研究開発センター 先端電子デバイスラボラトリー (略称： 東芝)
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
津田 邦男 / Kunio Tsuda / ツダ クニオ |
| 第8著者 所属（和/英） |
東芝研究開発センター 先端電子デバイスラボラトリー (略称： 東芝)
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 所属（和/英） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2007-11-16 14:55:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
R2007-50, ED2007-183, SDM2007-218 |
| 巻番号（vol） |
vol.107 |
| 号番号（no） |
no.318(R), no.319(ED), no.320(SDM) |
| ページ範囲 |
pp.23-26 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2007-11-09 (R, ED, SDM) |
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