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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-11-16 16:10 Cuイオンドリフトに起因したCu配線間TDDB劣化モデル ○鈴村直仁・山本茂久・真壁一也・小笠原 誠・小守純子・村上英一（ルネサステクノロジ）  R2007-53 ED2007-186 SDM2007-221 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-186 SDM2007-221 |
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| 抄録 | （和） | Cuイオンドリフトに起因したCu配線間経時絶縁破壊（Time-Dependent Dielectric Breakdown: TDDB）劣化メカニズムを検討し、寿命予測モデルとして√Eモデル（寿命の対数が√Eに線形比例）を新たに提案する。Cuイオンドリフトメカニズムとしては二つのモデル（Schottky型及びPoole-Frenkel型）を検討し、線間TDDB寿命及びリーク電流の電界・温度依存性の結果からモデル検証した結果を報告する。 |
| （英） | A new physical model of Time-Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) in Cu interconnect dielectrics is proposed. TDDB occurs due to the drift of Cu ions under an electric field E. An activation energy analysis of the leakage current demonstrates that these injected Cu ions affect the conduction mechanism of electrons. The dominant electron conduction mechanism changes from Poole-Frenkel electron current through the Cu barrier dielectrics to Fowler-Nordheim current due to the Cu pile-up at the cathode end. We assumed two possible types of Cu ion drift mechanism, Schottky type or Poole-Frenkel type. The field acceleration model (√E model) of the Poole-Frenkel type fits both TDDB lifetime and activation energy very well. The TDDB lifetime is proportional to the exponential of the square root of the electric field √E. | |
| キーワード | （和） | Cu配線 / Low-k層間絶縁膜 / 配線間TDDB / / / / / |
| （英） | Cu interconnects / Low-k dielectrics / TDDB / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 318, R2007-53, pp. 39-44, 2007年11月. | |
| 資料番号 | R2007-53 | |
| 発行日 | 2007-11-09 (R, ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2007-53 ED2007-186 SDM2007-221 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-186 SDM2007-221 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM R ED |
| 開催期間 | 2007-11-16 - 2007-11-16 |
| 開催地（和） | 中央電気倶楽部 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | R |
| 会議コード | 2007-11-SDM-R-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Cuイオンドリフトに起因したCu配線間TDDB劣化モデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A New TDDB Degradation Model Based on Cu Ion Drift in Cu Interconnect Dielectrics |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / Cu interconnects |
| キーワード(2)（和/英） | Low-k層間絶縁膜 / Low-k dielectrics |
| キーワード(3)（和/英） | 配線間TDDB / TDDB |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴村 直仁 / Naohito Suzumura / |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 茂久 / Shigehisa Yamamoto / |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 真壁 一也 / * / |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小笠原 誠 / * / |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社 ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小守 純子 / Junko Komori / |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社 ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 英一 / * / |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社 ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corporation (略称： Renesas Technology Corp.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-11-16 16:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | R |
| 資料番号 | R2007-53, ED2007-186, SDM2007-221 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.318(R), no.319(ED), no.320(SDM) |
| ページ範囲 | pp.39-44 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2007-11-09 (R, ED, SDM) |
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