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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-11-17 10:15 バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製 ○石田芳樹・陳 晨・萩原正宜・塩沢宏章・仙石 昌・林部林平・山上朋彦・上村喜一（信州大）  CPM2007-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2007-118 |
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| 抄録 | （和） | 我々はこれまでにRFプラズマ窒化法によりSiC表面に窒化絶縁膜を形成してSiC-MIS構造を作製する方法を提案し，窒化膜の形成が可能であることを示してきた．本報告では，窒化膜を用いたMIS構造の容量電圧特性における窒化時の直流バイアスの効果について検討した．その結果、直流バイアスを併用することで，SiC表面の窒化反応が促進される傾向を見出した． |
| （英） | Nitride layer was formed on the surface of 4H-SiC by plasma assisted nitridation. The XPS measurement suggested that the thickness of nitride layer increase as increasing RF power during nitridation and decreasing reaction pressure. The cross sectional TEM observation indicated that the thickness of surface nitride layer was 2 $\sim $ 5 nm when the sample was prepared by plasma assisted nitridation with DC bias of -100 V. Interface state density was $10^{12} \sim 10^{13}$eV$^{-1}$cm$^{-2}$, and was higher than the value for the sample prepared without DC bias. | |
| キーワード | （和） | SiC / プラズマ / 窒化膜 / MOSデバイス / 直流バイアス / / / |
| （英） | SiC / plasma / nitride film / MOS device / DC bias / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 325, CPM2007-118, pp. 69-72, 2007年11月. | |
| 資料番号 | CPM2007-118 | |
| 発行日 | 2007-11-09 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2007-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2007-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2007-11-16 - 2007-11-17 |
| 開催地（和） | 長岡技術科学大学 |
| 開催地（英） | Nagaoka University of Technology |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | Process of Thin Film formation and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2007-11-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of SiC MIS Structure by RF Plasma Assisted Nitridation with DC Bias. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマ / plasma |
| キーワード(3)（和/英） | 窒化膜 / nitride film |
| キーワード(4)（和/英） | MOSデバイス / MOS device |
| キーワード(5)（和/英） | 直流バイアス / DC bias |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 芳樹 / Yoshiki Ishida / イシダ ヨシキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 陳 晨 / Chen Chen / チン シン |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 萩原 正宜 / Masataka Hagihara / ハギハラ マサタカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩沢 宏章 / Hiroaki Shiozawa / シオザワ アキヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 仙石 昌 / Akira Sengoku / センゴク アキラ |
| 第5著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林部 林平 / Rinpei Hayashibe / ハヤシベ リンペイ |
| 第6著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山上 朋彦 / Tomohiko Yamakami / ヤマカミ トモヒコ |
| 第7著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上村 喜一 / Kiichi Kamimura / カミムラ キイチ |
| 第8著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-11-17 10:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2007-118 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.325 |
| ページ範囲 | pp.69-72 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-11-09 (CPM) |
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