| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2007-11-17 10:50
Cu2ZnSnS4のバルク単結晶とゾル-ゲル・硫化法で作製した薄膜の光学特性 ○宮本裕介・田中久仁彦・大貫雅俊・森竹典子・打木久雄(長岡技科大) CPM2007-119 |
| 抄録 |
(和) |
ゾル-ゲル・硫化法によって作製したCu2ZnSnS4(CZTS)薄膜と垂直ブリッジマン法により作製したCZTSバルク単結晶からの発光スペクトルの励起光強度依存性と温度依存性を観測した。薄膜とバルク単結晶からの発光はブロードで、発光域はそれぞれ1.1から1.4 eVと1.1から1.45 eVであった。励起強度が増加するにつれて、発光のピークが高エネルギー側にシフトしており、このことから発光の起源はドナー・アクセプタ対再結合発光であるとわかった。また、活性化エネルギーを調べるために温度依存性を測定したところ、薄膜の活性化エネルギーは39 meVで、結晶では37 meVであった。薄膜において透過率の温度依存性を測定したところ、22Kから300Kの間で、バンドギャップのシフト量は10 meVより少ないと観測された。 |
| (英) |
Photoluminescence from Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films and bulk single crystals was studied as a function of excitation power and temperature. The thin films and bulk single crystals showed a broad luminescence between 1.1 and 1.4 eV and between 1.1 and 1.45 eV respectively. The peak photon energy of the photoluminescences was shifted to higher energy side when the excitation power was increased. The origin of the photoluminescences was attributed to donor-acceptor pair recombination with activation energy of 39 and 37 meV for CZTS thin film and bulk single crystal respectively. Transmittance spectra for the thin films were studied as a function of temperature. The band gap energy shift was smaller than 10 meV with increasing temperature from 22 to 300K. |
| キーワード |
(和) |
Cu2ZnSnS4 / bulk single crystal / thin film / photoluminescence / transmittance / / / |
| (英) |
Cu2ZnSnS4 / bulk single crystal / thin film / photoluminescence / transmittance / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 325, CPM2007-119, pp. 73-77, 2007年11月. |
| 資料番号 |
CPM2007-119 |
| 発行日 |
2007-11-09 (CPM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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