| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-11-17 11:15 ゾルゲル・硫化法によるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製と評価 ○大貫雅俊・森竹典子・田中久仁彦・打木久雄（長岡技科大）  CPM2007-120 |
|
| 抄録 | （和） | Cu2ZnSnS4(以下CZTS)薄膜をゾルゲル法でプリカーサを作製した後に硫化を行って作製した。ゾルゲル溶液には発電効率の良いとされているCu poor, Zn rich(Cu/(Zn+Sn)=0.87, Zn/Sn=1.15)の金属組成比を用い、金属濃度には0.35Mと1.75Mを用いた。これは金属濃度の薄い溶液の後に濃い溶液をコートすることで、Mo基板とCZTS薄膜の付着性の向上を図ったためである。CZTS薄膜をMo基板上に堆積させた後、CdS界面層とZnO :Al窓層をそれぞれ化学溶液堆積法とゾルゲル法で堆積し、非真空下でCZTS薄膜太陽電池を作製した。AM1.5、100 mW/cm2のソーラーシミュレータの条件下で、短絡電流2.1 mA/cm2、開放電圧0.49 V、曲線因子F.F.0.23、変換効率0.24%を得た。 |
| （英） | Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films were prepared by non-vacuum processing of sulfurizing oxhydrate precursors deposited by sol-gel method. The metal ion ratio of the sol-gel solutions for precursors was Cu poor and Zn rich, Cu/(Zn+Sn)=0.87 and Zn/Sn=1.15, and the concentration of the metal ions in the solution was 0.35M or 1.75 M. The solution of 1.75M was spin-coated after spin-coating the 0.35M solution to improve the adhesion between Mo substrate and CZTS. After the preparation of a CZTS film, a CdS buffer layer and a ZnO:Al window layer were deposited by the chemical bath deposition method and the sol-gel method, respectively, to prepare a solar cell. Thus, all the semiconductor layers were deposited under non-vacuum condition. The CZTS thin film solar cells were examined under irradiation of AM1.5 and 100 mW/cm2. As a result, the short-circuit current, open-circuit voltage, fill factor, and conversion efficiency were 2.1 mA/cm2, 0.49 V, 0.23, and 0.24%, respectively. | |
| キーワード | （和） | Cu2ZnSnS4 / CZTS / 太陽電池 / ゾルゲル・硫化法 / / / / |
| （英） | Cu2ZnSnS4 / CZTS / Solar Cell / Sol-Gel and Sulfurization Method / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 325, CPM2007-120, pp. 79-82, 2007年11月. | |
| 資料番号 | CPM2007-120 | |
| 発行日 | 2007-11-09 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2007-120 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2007-11-16 - 2007-11-17 |
| 開催地（和） | 長岡技術科学大学 |
| 開催地（英） | Nagaoka University of Technology |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | Process of Thin Film formation and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2007-11-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ゾルゲル・硫化法によるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Cu2ZnSnS4 thin film solar cells prepared by non-vacuum processing of sol-gel and sulfurization method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu2ZnSnS4 / Cu2ZnSnS4 |
| キーワード(2)（和/英） | CZTS / CZTS |
| キーワード(3)（和/英） | 太陽電池 / Solar Cell |
| キーワード(4)（和/英） | ゾルゲル・硫化法 / Sol-Gel and Sulfurization Method |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大貫 雅俊 / Masatoshi Oonuki / オオヌキ マサトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森竹 典子 / Noriko Moritake / モリタケ ノリコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 久仁彦 / Kunihiko Tanaka / タナカ クニヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 打木 久雄 / Hisao Uchiki / ウチキ ヒサオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-11-17 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2007-120 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.325 |
| ページ範囲 | pp.79-82 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-11-09 (CPM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]