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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-11-27 13:55 ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製 ○渡邊一世・遠藤 聡（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT）  ED2007-188 |
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| 抄録 | （和） | InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30-300 GHz)及びサブミリ波帯(300 GHz-3 THz)で動作可能で，将来の超高速通信用デバイスとしてだけでなく，ミリ波・サブミリ波帯域の周波数資源開発のキーデバイスとして注目されている．ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製において優れたデバイス特性を維持し，歩留まりや再現性・信頼性の向上と製造コストの削減が可能な作製プロセスの開発は極めて重要である．今回，InP系HEMTの微細T型ゲート形成においてセルフアライン1段リセスゲート構造を採用し作製プロセスを簡略化した．その結果，ゲート長35 nmのIn0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As系HEMTにおいて相互コンダクタンス(gm) 1.7 S/mm，遮断周波数(fT) 520 GHz，最大発振周波数(fmax) 425 GHzを室温にて達成した． |
| （英） | InP-based high electron mobility transistors (HEMTs) are the most promising devices not only for future high-speed and high-frequency wireless communications but also expansion of radio spectrum resources in millimeter- (30-300 GHz) and sub-millimeter-wave (300 GHz-3 THz) frequency bands. In this contribution, we introduced a simple, self-aligned one-step-recessed gate procedure to ensure good yield and reliability and low manufacturing costs, but at the same maintain the devices high-speed and high-frequency performance. As the result, we fabricated a 35-nm-gate In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As HEMT and achieved a transconductance (gm) of 1.7 S/mm, a cutoff frequency (fT) of 520 GHz and a maximum oscillation frequency (fmax) of 425 GHz at room temperature. | |
| キーワード | （和） | InP系HEMT / セルフアライン1段リセスゲート / 相互コンクタンスgm / 遮断周波数fT / 最大発振周波数fmax / / / |
| （英） | InP-based HEMT / self-aligned one-step-recessed gate / transconductance gm / cutoff frequency fT / maximum oscillation frequency fmax / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 355, ED2007-188, pp. 7-10, 2007年11月. | |
| 資料番号 | ED2007-188 | |
| 発行日 | 2007-11-20 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-188 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2007-11-27 - 2007-11-28 |
| 開催地（和） | 東北大学 電気通信研究所 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. Research Institute of Electrical Communication |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2007-11-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of ultrafast InP-based HEMTs for MMIC application |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP系HEMT / InP-based HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | セルフアライン1段リセスゲート / self-aligned one-step-recessed gate |
| キーワード(3)（和/英） | 相互コンクタンスgm / transconductance gm |
| キーワード(4)（和/英） | 遮断周波数fT / cutoff frequency fT |
| キーワード(5)（和/英） | 最大発振周波数fmax / maximum oscillation frequency fmax |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Info. & Com. Tech. (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Info. & Com. Tech. (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： NICT/富士通研) Fujitsu Laboratories Limited (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 敏明 / Toshiaki Matsui / マツイ トシアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Info. & Com. Tech. (略称： NICT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-11-27 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-188 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.355 |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-11-20 (ED) |
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