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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2007-12-14 16:40 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定 ○岡本 大・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）  SDM2007-234 |
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| 抄録 | （和） | 4H-SiC nMOSFETとpMOSFETに対してチャージポンピング（CP）測定を行った．nチャネルMOSFETに対してCP特性を調べた結果，ゲートパルスの立ち下がり時間を変えることによって，CP曲線が大きく変化した．この変化はNOアニールを行っていない，チャネル移動度が低いMOSFETで顕著であった．このことより，SiC MOSFETに対するCP測定では，形状成分が発生しやすいことが明らかになった．また，伝導帯近傍に高密度に存在するアクセプタ型界面トラップの影響によって，CP曲線が歪むことも明らかにした．4H-SiCに対するCP曲線は，これら二つの効果によって特異的な形になるため，解析が難しくなる．正確な測定のためには，十分長いパルス立ち下がり時間を用いることにより，形状成分を抑えることが重要である． |
| （英） | Charge-pumping measurements were conducted on n-channel and p-channel 4H-SiC MOSFET’s with and without NO annealing. The measurements with different pulse-fall times revealed that the geometric component exists in 4H-SiC MOSFET’s and is especially large in the unannealed n-channel 4H-SiC MOSFET’s with low channel mobility. In addition, influence of interface-trapped charges is large in the unannealed 4H-SiC MOSFET’s. The charge-pumping curves are distorted by these two non-ideal effects, and therefore, the analysis of the charge-pumping curves is difficult. A sufficiently long fall-time is needed to minimize the effect of geometric component. | |
| キーワード | （和） | SiC / MOS界面 / チャージポンピング測定 / 界面トラップ電荷 / NOアニール / 形状成分 / / |
| （英） | SiC / MOS interface / Charge pumping / Interface trapped charges / NO annealing / Geometric component / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 388, SDM2007-234, pp. 51-54, 2007年12月. | |
| 資料番号 | SDM2007-234 | |
| 発行日 | 2007-12-07 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2007-234 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2007-12-14 - 2007-12-14 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | Nara Institute Science and Technology |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Silicon related material, process and device |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2007-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Charge-Pumping Measurement on 4H-SiC nMOSFETs and pMOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MOS界面 / MOS interface |
| キーワード(3)（和/英） | チャージポンピング測定 / Charge pumping |
| キーワード(4)（和/英） | 界面トラップ電荷 / Interface trapped charges |
| キーワード(5)（和/英） | NOアニール / NO annealing |
| キーワード(6)（和/英） | 形状成分 / Geometric component |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 大 / Dai Okamoto / オカモト ダイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Inst. Sci. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 裕司 / Hiroshi Yano / ヤノ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Inst. Sci. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama / ハタヤマ トモアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Inst. Sci. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Inst. Sci. Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： Nara Inst. Sci. Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2007-12-14 16:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2007-234 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.388 |
| ページ範囲 | pp.51-54 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2007-12-07 (SDM) |
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