| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2007-12-14 14:40
高アスペクト比ドライエッチング技術を用いて作製したシリコンフォトニック結晶デバイス
○細見和彦（東大/光協会/日立）・山田宏治・赤松正二（東大/光協会）・佐川みすず（東大/光協会/日立）・勝山俊夫（東大/光協会）・荒川泰彦（東大） |
| 抄録 |
（和） |
偏光依存性のないフォトニック結晶デバイス実現のために、高アスペクト比ドライエッチング技術を用いて作製する一次元および三次元のシリコンフォトニック結晶デバイスの開発を行っている。一次元フォトニック結晶の完全結晶を作製し良好な光学特性を観測した。また、微小共振器構造を用いた屈折率センサーの原理検証実験を行った。更に、三次元フォトニック結晶作製の為の45°円孔斜めエッチング技術の開発を行った。 |
| （英） |
To realize photonic crystal devices with no polarization dependence, we have been developing 1D- and 3D-silicon photonic crystal devices fabricated using high-aspect ratio dry etching technique. We fabricated 1D perfect photonic crystal and measured optical transmission properties. We also demonstrated fundamental function of chemical sensor using micro cavity made of 1D photonic crystal. In addition, we developed 45 degree angled etching technique, which enables fabrication of 3D photonic crystals with conventional semiconductor processes. |
| キーワード |
（和） |
フォトニック結晶 / 高アスペクトドライエッチング / 微小共振器 / / / / / |
| （英） |
Photonic crystal / High-Aspect Ratio Dry Etching / Micro Cavity / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 107, no. 389, OPE2007-139, pp. 21-26, 2007年12月. |
| 資料番号 |
OPE2007-139 |
| 発行日 |
2007-12-07 (OPE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
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