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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-11 13:00 有機トランジスタ構造を用いた不揮発性強誘電体メモリ ○財津光一郎・関谷 毅・石部清志郎・染谷隆夫（東大）  OME2007-68 |
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| 抄録 | （和） | 有機材料を用いてプラスチック基板上に大気安定な強誘電体メモリトランジスタを作製した。強誘電体材料フッ化ビニリデン/三フッ化エチレン共重合体をゲート絶縁膜に用いることによりトランジスタのヒステリシスを制御し、ドレイン電流が流れる状態“1”と流れない状態“0”の双安定状態を実現した。 有機メモリは従来より大気中での劣化が問題となってきた。本研究では、パリレン絶縁膜および金属膜による積層封止を施すことで、大気中でのメモリ保持時間を大幅に改善することに成功した。作製したメモリトランジスタは大気中で1000以上の高い“1”/“0”比を示し、窒素雰囲気の場合には、電源を切ってから25日後でも100以上の高い“1”/“0”比を示した。大気中でメモリ保持測定を行った結果、15日後でも“1”/“0”比は500以上であった。この結果を窒素雰囲気で行った結果と比べたとき、変化量は7%以内であった。このことから、本研究で作製した有機デバイスは、大気中において、きわめて優れた不揮発性メモリであることを確認した。 |
| （英） | We have successfully fabricated air-stable organic nonvolatile memories comprising ferroelectric field-effect transistors on plastic substrates. Using a ferroelectric poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer as a gate insulator, we have obtained large hysteresis in transistor switching and realized bistable states in channel conductivity with high "1" and low "0". Organic memories have thus far had the problem of degradation in ambient air. In this study, the passivation method using parylene and metal multiple layers has successfully improved memory data retention in air. The "1"/"0" current ratio in memory transistors exceeds 1000 in air. High ratio above 100 is obtained when they are stored for 25 days in nitrogen atmosphere although voltages are not applied. Furthermore, in air our memory devices show high "1"/"0" ratio above 500 after 15 days, and the variation is suppressed within 7% compared to nitrogen atmosphere. This result clearly demonstrates that our organic devices are excellent nonvolatile memories with high air-stability. |
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| キーワード | （和） | 有機トランジスタ / 不揮発性メモリ / FeRAM / P(VDF-TrFE) / / / / |
| （英） | Organic transistor / Nonvolatile memory / FeRAM / P(VDF-TrFE) / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 412, OME2007-68, pp. 1-6, 2008年1月. | |
| 資料番号 | OME2007-68 | |
| 発行日 | 2008-01-04 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2007-68 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2008-01-11 - 2008-01-11 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 有機材料・デバイス（有機トランジスタ、化学センサなど）・一般 |
| テーマ（英） | organic materials and devices, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2008-01-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 有機トランジスタ構造を用いた不揮発性強誘電体メモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nonvolatile ferroelectric memories using organic transistor structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機トランジスタ / Organic transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発性メモリ / Nonvolatile memory |
| キーワード(3)（和/英） | FeRAM / FeRAM |
| キーワード(4)（和/英） | P(VDF-TrFE) / P(VDF-TrFE) |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財津 光一郎 / Koichiro Zaitsu / ザイツ コウイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関谷 毅 / Tsuyoshi Sekitani / セキタニ ツヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石部 清志郎 / Kiyoshiro Ishibe / イシベ キヨシロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 染谷 隆夫 / Takao Someya / ソメヤ タカオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-11 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2007-68 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.412 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-01-04 (OME) |
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