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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-16 13:25 電気化学的プロセスによるGaN表面安定化 ○塩崎奈々子・橋詰 保（北大）  ED2007-207 MW2007-138 |
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| 抄録 | （和） | ウェットプロセスによるGaN系材料の表面安定化(パッシベーション)を試みるため、グリコール水溶液中での電気化学プロセスによる酸化薄膜形成の条件を詳細に検討した。サイクリックボルタンメトリにより決定した電圧を印加する際、0Vから徐々に掃引しながら上昇させた後定電圧モードに切り替える、電圧制御酸化プロセスを採用することにより、平坦性の良い酸化膜が形成可能となった。形成された膜は酸化ガリウムの多結晶がアモルファス酸化物中に混在する組成であることが断面TEM観察により判明した。酸化中に得られた電流特性から酸化膜厚を間接的に見積もり、実測値との相関を調べることで電荷量による酸化膜厚制御を試みた。最後に、本酸化プロセスによる酸化膜のパッシベーション効果についてその有用性を示した。 |
| （英） | The oxidation condition of n-GaN by wet chemical process was optimized. The bias voltage for oxidation was decided by cyclic voltammetry measurement. As the oxidation bias voltage, the combination of ramp and constant bias form was used, which prevent the surface from roughening. After the process, it was confirmed by XPS and AES that the surface was area-selectively oxidized. Cross-sectional TEM observation revealed the composition of the oxide layer was the mixture of poly crystal and amorphous of gallium oxides. The formed oxide was about 70-100nm-thick. We tried to estimate the oxide thickness using total charge value during the oxidation process. The actual thickness of oxide layer was proved to be about 1/6 of the estimated value. Finally, the feasibility of the oxidation technique for surface passivation was investigated using photoluminescence measurement. | |
| キーワード | （和） | GaN / 陽極酸化 / 光電気化学 / グリコール水溶液 / / / / |
| （英） | GaN / anodic oxidation / photoelectrochemical / glycol solution / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 420, ED2007-207, pp. 7-10, 2008年1月. | |
| 資料番号 | ED2007-207 | |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-207 MW2007-138 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2008-01-16 - 2008-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ＩＣ及び超高速・超高周波デバイス |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor IC, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電気化学的プロセスによるGaN表面安定化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface passivation of GaN using electorchemical process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 陽極酸化 / anodic oxidation |
| キーワード(3)（和/英） | 光電気化学 / photoelectrochemical |
| キーワード(4)（和/英） | グリコール水溶液 / glycol solution |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩崎 奈々子 / Nanako Shiozaki / シオザキ ナナコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-16 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-207, MW2007-138 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.420(ED), no.421(MW) |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-01-09 (ED, MW) |
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